[发明专利]一种制备光学防伪元件的方法有效

专利信息
申请号: 201310598261.3 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN104057747A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 胡春华;吴远启;周赟;张宝利;张巍巍 申请(专利权)人: 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司
主分类号: B42D25/30 分类号: B42D25/30;B42D25/40
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 陈潇潇;肖冰滨
地址: 100070 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 光学 防伪 元件 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光学防伪领域,尤其涉及一种制备光学防伪元件的方法。

背景技术

为了防止利用扫描和复印等手段产生的伪造,钞票、信用卡、护照、有价证券和产品包装等各类高安全或高附加值印刷品中广泛采用了光学防伪技术,并且取得了非常好的效果。

为了增加防伪图像的亮度,光学防伪原件一般采用金属反射层。为了增加防伪的效果,金属反射层需要进行镂空形成特定的图案。现有技术中,对金属反射层进行镂空一般有两种方法,一种是水洗去金属法,另外一种是碱洗去金属法。这两种金属反射层镂空方法中,需要将水洗胶层或者保护层与膜上的微结构的光学图像进行套印对准,而现有设备的套印误差比较大,因此不能得到连续化的、准确定位的镂空光学图像。

专利申请CN102460236A提出一种去反射层解决方案。首先,提供含有平坦的或深宽比小的凹凸结构的第一起伏结构区域和含有深宽比更大的凹凸结构的第二起伏结构区域的起伏结构层。接着,在该起伏结构层上,以均匀的表面密度形成金属反射层。然后,在金属反射层上蒸镀不同于金属反射层材料的掩膜层,掩膜层一般由无机化合物构成,典型的例如为MgF2。掩膜层的厚度需满足以下条件:在第一起伏结构区域覆盖有完整连续的掩膜层,而第二起伏结构区域的掩膜层在凹部或凸部之间有开口。接着,将掩模层暴露于可与金属反射层材料反应的气体或液体中。这样,与第二起伏结构区域对应的金属反射层和掩膜层均被除去,而与第一起伏结构区域对应的金属反射层得以完整保留。但是,做到第二起伏结构区域的掩膜层具有开口结构、同时第一起伏结构区域的掩膜层保持完整连续是非常困难的。事实上,蒸镀无机化合物材料形成的掩膜层的致密性往往不好,会形成孔洞结构,因此第一起伏结构区域的部分反射层还是会在最后的去反射层工艺中遭到损坏,形成微小的空洞缺陷。另外,该方法形成的MgF2为微片状结构,因此得到的去反射层图像边缘不细致,并且无法形成极精细的图像,例如尺寸小于10微米。

发明内容

本发明针对现有技术中在制备光学防伪元件时效率低、质量难控、不能精细准确地定位去反射层镂空等缺陷,提供一种能够克服这些缺陷的制备光学防伪元件的方法。

本发明提供一种制备光学防伪元件的方法,该方法包括:

提供薄膜材料,该薄膜材料至少包括依次层叠的支撑层、模压层和镀层;

对所述薄膜材料进行压印,以形成至少第一起伏结构区域和第二起伏结构区域,其中所述第一起伏结构区域中的镀层的顶部和/或底部具有开口,所述第二起伏结构区域中的镀层中没有开口;

将所述薄膜材料置于能与所述镀层和/或所述模压层进行反应的去镀层氛围中,直到所述第一起伏结构区域中的镀层被去除而所述第二起伏结构区域中的镀层仍然保留所需厚度为止。

根据本发明的方法的原理如下:在压印步骤之后,第一起伏结构区域中的镀层的顶部和/或底部具有开口,这样,去镀层氛围可以通过开口进入该区域中的镀层与模压层的界面以与该区域中的镀层和/或模压层进行反应(物理反应或化学反应均可),从而破坏该区域中镀层与模压层之间的附着牢度,然后在外界物理因素的辅助作用(比如水的冲洗)下,该区域中的镀层从模压层上去除;而第二起伏结构区域中的镀层中是没有开口的,所以虽然该区域中的镀层也可能会与去镀层氛围进行反应,但是由于该反应只会使得该区域中的镀层厚度变薄但不会导致该区域中的镀层完全消失,所以在去镀层步骤之后,该区域中的镀层仍然存在,从而实现了镂空。因此,第一起伏结构区域中的镀层的去除,本质上是通过破坏该镀层与模压层之间的附着牢度而实现的,这不同于现有技术中的去镀层技术,即镀层是被腐蚀而被去除的。

附图说明

图1是一种示例性光学防伪元件的俯视图;

图2是沿着图1中的X-X线看到的一种可能的剖面图;以及

图3至图6是根据本发明的制备光学防伪元件的方法的流程剖面图。

具体实施方式

为了使本领域技术人员能够更好地理解本发明的技术方案,下面将结合附图来详细描述根据本发明的制备光学防伪元件的方法的流程。

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