[发明专利]一种制备光学防伪元件的方法有效
申请号: | 201310598261.3 | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN104057747A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 胡春华;吴远启;周赟;张宝利;张巍巍 | 申请(专利权)人: | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 |
主分类号: | B42D25/30 | 分类号: | B42D25/30;B42D25/40 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 陈潇潇;肖冰滨 |
地址: | 100070 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 光学 防伪 元件 方法 | ||
1.一种制备光学防伪元件的方法,该方法包括:
提供薄膜材料,该薄膜材料至少包括依次层叠的支撑层、模压层和镀层;
对所述薄膜材料进行压印,以形成至少第一起伏结构区域和第二起伏结构区域,其中所述第一起伏结构区域中的镀层的顶部和/或底部具有开口,所述第二起伏结构区域中的镀层中没有开口;
将所述薄膜材料置于能与所述镀层和/或所述模压层进行反应的去镀层氛围中,直到所述第一起伏结构区域中的镀层被去除而所述第二起伏结构区域中的镀层仍然保留所需厚度为止。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述第二起伏结构区域相比,所述第一起伏结构区域中的镀层的横截面的顶部和/或底部具有更大的曲率。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一起伏结构区域具有锯齿形结构、矩形光栅结构、梯形光栅结构中的至少一者或其组合。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述第二起伏结构区域相比,所述第一起伏结构区域的深宽比更大。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一起伏结构区域的深宽比大于0.3。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一起伏结构区域的深度位于80nm~6000nm的范围内、宽度位于100nm~3000nm的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述镀层是单层镀层和多层镀层中的至少一者或其组合。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述单层镀层为金属镀层,且该金属镀层的光学密度大于1.3但小于3。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,在所述镀层为所述多层镀层时,所述模压层和/或所述多层镀层中与所述模压层邻接的层能够与所述去镀层氛围进行反应而所述多层镀层中的其他层不与所述去镀层氛围进行反应;在所述镀层为所述单层镀层时,所述模压层和/或所述单层镀层能够与所述去镀层氛围进行反应。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述支撑层与所述模压层之间具有剥离层。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模压层由在一定温度和压力下能够变形的材料形成。
12.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括:在去除所述第一起伏结构区域中的镀层之后,在所述镀层上形成保护层和/或功能涂层。
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