[发明专利]透明导电性膜

说明书

技术领域

本发明涉及适用于能够通过手指或者触控笔等的接触输入信息的输入显示装置等的透明导电性膜。

背景技术

一直以来，公知的是具有铟锡氧化物的多晶层、比电阻为9.2×10^-4Ω·cm程度的透明导电性膜（专利文献1）。此透明导电性膜使得对笔滑动的耐久性良好，被期待用于笔输入用触摸面板的用途。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2010-080290号公报

发明内容

发明要解决的问题

最近，随着静电电容式的触摸面板的大型化，要求适用于大型的静电电容式触摸面板的透明导电性膜的比电阻变得更小。

本发明的目的是提供结晶性优良、比电阻小的透明导电性膜。

解决问题的手段

为了达成所述目的，本发明的透明导电性膜，具有膜基材、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层，其特征在于，所述多晶层，在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%，所述多晶层的厚度为10nm～35nm，构成所述多晶层的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。

优选所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～11重量%。

此外，优选所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最小值为1重量%～4重量%。

此外，优选所述多晶层的氧化锡浓度在厚度方向在所述多晶层的中央部大、在其两端部小。

在所述多晶层，靠近所述膜基材侧的氧化锡浓度比远离所述膜基材侧的氧化锡浓度大是优选的。

进一步优选所述透明导电性膜的比电阻是2.0×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm。

发明效果

根据本发明，多晶层，由具有在平面方向扩展的平板状晶癖的晶粒形成，因为结晶的连续性良好，所以透明导电性膜的比电阻变小。此外，因为即使多晶中包含较多氧化锡，也由于在多晶层的厚度方向存在氧化锡的浓度梯度，氧化锡浓度小的区域促进氧化锡浓度大的区域的结晶化，所以结晶性良好。因此，能够提供结晶性优良、比电阻小的透明导电性膜。

附图说明

图1是概略地表示本发明的实施方式的透明导电性膜的结构的剖视图。

图2是表示多晶层的氧化锡的浓度梯度的一个例子的曲线图。

图3是表示多晶层的氧化锡的浓度梯度的其它的一个例子的曲线图。

图4是图1的多晶层表面的透射式电子显微镜照片。

图5是表示图4的透射式电子显微镜照片的二值化图像的图。

图6是表示多晶层表面的晶粒的面积分布的曲线图。

图7是表示多晶层表面的晶粒的最大直径分布的曲线图。

图8是表示多晶层表面的晶粒的当量圆直径分布的曲线图。

【符号说明】

1透明导电性膜

2膜基材

3多晶层

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。

图1是概略地表示本实施方式的透明导电性膜的结构的剖视图。应予说明，图1的各个结构的厚度是表示它的一个例子，本发明的膜传感器的各个构成的厚度，不限于图1的情况。

如图1所示，本发明的透明导电性膜1，具有膜基材2、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层3。多晶层3，在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层3的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层3的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层3的晶粒的最大直径的平均值为380nm～730nm。

在如上所述构成的透明导电性膜1中，因为由具有在平面方向扩展的平板状晶癖的晶粒形成多晶层3，结晶的连续性良好，所以比电阻小。此外，即使在多晶中包含较多氧化锡（6重量%～12重量%），通过在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，结晶性也很好。

透明导电性膜1的比电阻，是2.0×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，优选为2.2×10^-4Ω·cm～2.8×10^-4Ω·cm。

然后，以下说明透明导电性膜1的各个结构要素的详情。

（1）膜基材