[发明专利]透明导电性膜有效
| 申请号： | 201310597960.6 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103839607A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 竹安智宏;山本祐辅;金谷实;佐佐和明 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性膜，具有膜基材、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层，其特征在于，
所述多晶层，在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，
所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%，
所述多晶层的厚度为10nm～35nm，
构成所述多晶层的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
2.如权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～11重量%。
3.如权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最小值为1重量%～4重量%。
4.如权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述多晶层的氧化锡浓度，在厚度方向在所述多晶层的中央部大，在其两端部小。
5.如权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，在所述多晶层，靠近所述膜基材侧的氧化锡浓度，比远离所述膜基材侧的氧化锡浓度大。
6.如权利要求1所述的透明导电性膜，其特征在于，所述透明导电性膜的比电阻是2.0×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm。
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