[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，具有有源单元区、形成在所述有源单元区外部的二极管区、以及形成在所述二极管区外部的终端区，所述功率半导体器件包括：

第一导电类型的半导体层和多个第二导电类型的柱体，所述第一导电类型的半导体层和多个所述第二导电类型的柱体形成在所述有源单元区、所述二极管区以及所述终端区中，多个所述第二导电类型的柱体彼此间隔开，在所述第一导电类型的半导体上具有预定的深度；

第二导电类型的第一阱区，所述第二导电类型的第一阱区形成在所述二极管区中，在所述第一导电类型的半导体层和多个所述第二导电类型的柱体上具有预定的深度；

第二导电类型的第二阱区，所述第二导电类型的第二阱区形成在与所述有源单元区相邻之侧，在所述第二导电类型的第一阱区上具有预定的深度；以及

第二导电类型的第三阱区，所述第二导电类型的第三阱区被形成为在所述二极管区中的所述第二导电类型的柱体的位置上具有预定的深度，所述位置对应于与所述终端区相邻的所述第二导电类型的柱体，

其中，所述第二导电类型的第一阱区的杂质浓度低于所述第二导电类型的第二阱区且高于所述第二导电类型的第三阱区的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，在所述终端区中形成第二导电类型的第三阱区，该第二导电类型的第三阱区在与多个所述第二导电类型的柱体相对应的位置上具有预定的深度。

3.如权利要求2所述的功率半导体器件，还包括绝缘层，所述绝缘层在所述二极管区中被形成为覆盖所述第二导电类型的第一阱区、所述第二导电类型的第二阱区以及所述第二导电类型的第三阱区的顶部。

4.如权利要求3所述的功率半导体器件，其中，所述绝缘层在所述终端区中被形成为覆盖所述第二导电类型的第三阱区和所述第一导电类型的半导体层的顶部。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，在所述二极管区中的所述第二导电类型的第一阱区和第二导电类型的第三阱区彼此接触。

6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电类型的第三阱区的杂质浓度低于多个所述第二导电类型的柱体的杂质浓度。

7.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括第一导电类型的衬底，所述第一导电类型的衬底形成在所述第一导电类型的半导体层之下。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件，在所述有源单元区中还包括：

第二导电类型的第一阱区，所述第二导电类型的第一阱区被形成为在所述第二导电类型的柱体上具有预定的深度；以及

第一导电类型的源极区，所述第一导电类型的源极区被形成为在所述第二导电类型的第一阱区上具有预定的深度。

9.如权利要求8所述的功率半导体器件，在所述有源单元区中还包括栅电极，所述栅电极形成在所述第二导电类型的第一阱区和所述第一导电类型的源极区上。

10.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一导电类型是掺杂有n型杂质的半导体区的导电类型，而所述第二导电类型是掺杂有p型杂质的半导体区的导电类型。