[发明专利]一种含氟菲并咪唑类衍生物及其合成方法和应用

权利要求书

1.一种如下式I所示的化合物：

其中，所述的R选自下组：取代或未取代的C6-C30的芳基，取代或未取代的C1-C30的杂芳基。

2.如权利要求1所述的化合物的制法，其特征在于，包括步骤：

在惰性溶剂中，用式II化合物与式III化合物反应，得到式I化合物；其中，所述的式III化合物选自下组：R-B(OH)₂、R-B(OCCH₃CH₃)₂；

X选自下组：H、F、Cl、Br、I；

R选自下组：取代或未取代的C6-C30的芳基，取代或未取代的C1-C30的杂芳基。

3.如权利要求2所述的制法，其特征在于，所述方法还包步骤：

在惰性溶剂中，用式II’a化合物、式II’b化合物与反应，得到式II’化合物；

上述各式中，X’选自下组：H、F、Cl、Br、I；且X’与X可相同或不同。

4.如权利要求1所述的化合物的用途，其特征在于，所述的化合物用于制备电致发光材料，或所述的化合物用于制备电致发光器件。

5.一种电致发光材料，其特征在于，所述的电致发光材料包括如权利要求1所述的化合物，或所述的电致发光材料是用如权利要求1所述的化合物制备的。

6.如权利要求5所述的材料，其特征在于，所述的材料还包括客体材料。

7.一种电致发光器件，其特征在于，所述的器件包括：

(1)衬底；

(2)位于衬底上的透明导电膜；

(5)发光层；和

(8)位于电子注入层上的阴极；

且所述的发光层包括如权利要求1所述的化合物，或所述的发光层是用如权利要求1所述的化合物制备的。

8.如权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述的器件还包括：

(3)位于透明导电膜上的空穴注入层；

(4)位于空穴注入层上的空穴传输层；

(6)位于发光层上的电子传输层；

(7)位于电子传输层上的电子注入层；

且

所述的发光层位于所述的空穴传输层和所述的电子传输层之间；

所述的阴极位于所述的电子注入层上。

9.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述的器件包括选自下组的一个或多个特征：

所述的空穴注入层的材料包括4,4’,4’-三(咔唑-9-基)三苯胺；和/或

所述的空穴传输层的材料包括4,4’-二(9-咔唑)联苯；和/或

所述的电子传输层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；和/或

所述的电子注入层包括选自下组的材料：LiF、MoO₃、WO₃，或其组合。

10.如权利要求7所述的器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一具有透明导电膜的衬底，且所述的透明导电膜上依次具有空穴注入层和空穴传输层；

使所述的发光层材料在所述的空穴传输层上沉积，形成发光层；

使所述的发光层上依次形成所述电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述的器件。