[发明专利]用于使半导体芯片与箔分离的方法有效
| 申请号： | 201310585803.3 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103839772B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 恩斯特·巴尔梅特勒;艾尔万·罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 贝思瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 梁晓广,关兆辉 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 芯片 分离 方法 | ||
1.一种用于使半导体芯片与箔分离的方法，所述方法包括用于确定和设置时间段的设置阶段，每个所述时间段限定分离过程的预剥离步骤的持续时间，其中，在每个预剥离步骤过程中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与箔分离，所述设置阶段包括以下步骤：
利用大致垂直作用在待被移除的半导体芯片的表面上的光照射所述待被移除的半导体芯片；
为持续时间待被确定的每个预剥离步骤执行以下步骤：
初始化所述预剥离步骤；
重复以下两个步骤：
记录所述半导体芯片的图像，并为所述图像分配自所述预剥离步骤的初始化起已经过的时间段，以及
检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；
直到所述检查得到没有所述半导体芯片的周围区域比所述预定的亮度值暗的结果；以及
为所述预剥离步骤分配与最后记录的图像有关的时间段或由其得出的时间段。
2.一种用于使半导体芯片与箔分离的方法，所述方法包括以下步骤：
利用大致垂直作用在待被移除的半导体芯片的表面上的光照射所述待被移除的半导体芯片；
进行至少一个预剥离步骤，在所述至少一个预剥离步骤中，首先所述半导体芯片的至少一个区域保持粘接到所述箔且被弯曲，随后与所述箔分离，其中，所述至少一个预剥离步骤中的每个包括以下步骤：
初始化所述预剥离步骤；
重复以下两个步骤：
记录所述半导体芯片的图像，以及
检查在所述图像中所述半导体芯片的周围区域是否比预定的亮度值暗；
直到所述检查得到没有所述半导体芯片的周围区域比所述预定的亮度值暗的结果；以及
在最后的预剥离步骤结束时，由晶片夹持器夹持所述半导体芯片并完成所述半导体芯片与所述箔的分离。
3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法进一步包括将具有可上升和可下降的板（11）的晶片脱离器（4）用于所述半导体芯片（3）与所述箔（2）的分离，其中，在所述至少一个预剥离步骤中的上述初始化包含使尚未下降的最外侧的板下降。
4.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法进一步包括将具有能够平行于所述箔（2）的表面移位的载架的晶片脱离器（4）用于所述半导体芯片（3）与所述箔（2）的分离，其中，在所述至少一个预剥离步骤中的上述初始化包括所述载架的预定距离的移位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贝思瑞士股份公司，未经贝思瑞士股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
