[发明专利]引线框区域阵列封装技术有效
| 申请号: | 201310585262.4 | 申请日: | 2013-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN103824820B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 安东尼奥·巴姆巴兰·狄马诺;纳莎彭·苏斯旺桑索;杨永波 | 申请(专利权)人: | 联测总部私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 蔡晓红 |
| 地址: | 新加坡宏茂桥工*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 引线 区域 阵列 封装 技术 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
a.聚合物层包括顶面和底面,其中,所述聚合物层的所述底面与载体条的第一侧边连接,其中所述聚合物层形成缓减通道以减缓压力和排出水分;所述载体条在封装过程后移除,使得所述聚合物层的所述底面暴露出来;
b.多个互连件,所述多个互连件构建在所述聚合物层的所述顶面上;
c.半导体芯片,所述半导体芯片连接在所述多个互连件的至少一部分上;以及
d.模塑料,所述模塑料封装所述半导体芯片以及所述多个互连件,并与所述聚合物层的所述顶面交界。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述半导体芯片通过引线进行连接;其中,所述模塑料封装所述引线。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述半导体芯片通过导电柱进行连接;其中,所述模塑料封装所述导电柱。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述聚合物层包括多个开口。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,所述多个开口中的一个或多个填充有焊锡。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述缓减通道设置在芯片粘附区域下方。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述缓减通道设置在底部填充区域下方。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述半导体封装件为LGA类型封装件、QFN类型封装件以及芯片倒装封装件中的一种。
9.一种半导体封装件,包括:
a.聚合物基板,包括顶面和底面,其中,所述聚合物基板的所述底面与载体条的第一侧边连接,其中所述聚合物基板包括阻焊剂且形成缓减通道以减缓压力和排出水分;所述载体条在封装过程后移除,使得所述聚合物基板的所述底面暴露出来;
b.互连层,所述互连层设置在所述聚合物基板的顶面;
c.芯片,所述芯片通过引线连接在所述互连层上;
d.模塑料,所述模塑料封装所述芯片,并贴附在所述聚合物基板的所述顶面上;以及
e.多个通孔,所述多个通孔设置在所述聚合物基板中,其中所述多个通孔将所述互连层在预设位置显露出来。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其特征在于,所述缓减通道设置在芯片粘附区域下方。
11.一种半导体封装件,包括:
a.聚合物基板,包括顶面和底面,其中,所述底面显露出来,所述聚合物基板形成缓减通道以减缓压力和排出水分;
b.互连层,所述互连层设置在所述聚合物基板的顶面;
c.芯片,所述芯片通过导电柱连接在所述互连层上,其中所述互连层直接连接所述芯片到从所述半导体封装件的表面延伸的焊锡;
d.模塑料,与所述聚合物基板的顶面相连接,用于封装所述芯片使所述芯片不被暴露;以及
e.多个通孔,所述多个通孔设置在所述聚合物基板中,其中所述多个通孔将所述互连层在预设位置显露出来。
12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其特征在于,所述缓减通道设置在底部填充区域下方。
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