[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管元件

权利要求书

1.一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包含：

至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元，设置于一基板上，包含：

至少一晶胞及一边界，该晶胞包含至少一源极柱及至少一漏极柱，该边界环绕该晶胞；

一栅极导体，环绕该源极柱及该漏极柱，并从该晶胞延伸至该边界；

以及

一绝缘结构，电性隔离该栅极导体、该源极柱及该漏极柱。

2.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该源极柱具有一第一宽度，该漏极柱具有一第二宽度，该第二宽度小于该第一宽度。

3.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元呈矩形，且包含多个交错排列的源极柱与漏极柱。

4.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该栅极导体包含一沟槽式栅极，设置于该源极柱与该漏极柱之间。

5.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元包含：

多个源极柱；以及

一源极垫，连接所述多个源极柱。

6.如权利要求5所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，另包含一源极线，连接于该源极垫。

7.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元包含：

多个漏极柱；以及

一漏极垫，连接所述多个漏极柱。

8.如权利要求7所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，另包含一漏极线，连接于该漏极垫。

9.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元包含：

多个栅极插塞，在该边界连接该栅极导体；以及

至少一栅极垫，至少连接该边界的部分栅极触点。

10.如权利要求9所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，另包含一栅极线，连接该栅极垫。

11.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该漏极柱包含：

一体部；以及

一金属硅化物层，设置于该体部之上。

12.如权利要求11所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该体部包含：

一下部，具有一第一掺质浓度；以及

一上部，具有一第二掺质浓度，该上部设置于该下部之上；

其中该第二掺质浓度高于该第一掺质浓度。

13.如权利要求11所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该体部包含：

一中央部，具有一第一掺质浓度；以及

一顶部，具有一第二掺质浓度，该顶部设置于该中央部之上；

其中该第二掺质浓度高于该第一掺质浓度。

14.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该源极柱包含：

一阱部；

一中央部，具有一第一导电型态且设置于该阱部之上；

一墙部，具有一第二导电型态且环绕于该中央部；以及

一金属硅化物层，设置于该中央部及该墙部之上。

15.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该基板包含一双扩散掺杂区，设置于该源极柱与该漏极柱之下。

16.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该栅极导体包含一沟槽式栅极，设置于该源极柱与该漏极柱之间；该基板包含一双扩散掺杂区，设置于该漏极柱与该沟槽式栅极之下。

17.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该栅极导体包含一沟槽式栅极，设置于该源极柱与该漏极柱之间；该基板包含一第一双扩散掺杂区及一第二双扩散掺杂区，该第一双扩散掺杂区设置于该漏极柱之下，该第二双扩散掺杂区设置于该沟槽式栅极之下。

18.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体晶体管元件，其中该栅极导体包含一沟槽式栅极，设置于该源极柱与该漏极柱之间；该绝缘结构在该沟槽式栅极与该漏极柱之间具有一第一厚度，该绝缘结构在该沟槽式栅极与该源极柱之间具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。