[发明专利]大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备的基片承载装置，尤其涉及一种大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置。

背景技术

随着半导体技术的迅速发展，常用的圆形基片已无法满足生产需要，各种长方形、方形等异形基片开始层出不穷，而常规的旋转涂覆式匀胶容易导致异形基片端面匀胶不均，限制了生产合格率的提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种能解决大面积异形基片匀胶不均匀问题的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置，包括承片平台，所述承片平台上表面的中心位置设置一个贯通所述承载平台的定位槽，所述定位槽长度方向的两端分别设有定位台阶，所述定位槽内部设置一个真空槽，所述真空槽的底部设有抽真空孔，所述定位槽宽度方向的两侧设置分别设有弧形挡板，所述弧形挡板的弧形圆心指向所述承片平台的中心方向。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明实施例提供的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置，由于承片平台上表面的中心位置设置一个贯通所述承载平台的定位槽，定位槽长度方向的两端分别设有定位台阶，定位槽内部设置一个真空槽，真空槽的底部设有抽真空孔，定位槽宽度方向的两侧设置分别设有弧形挡板，弧形挡板的弧形圆心指向承片平台的中心方向。解决了半导体芯片制作中大面积异形基片匀胶不均匀的问题，能有效防止异形基片端面匀胶不均匀，显著提高半导体芯片的性能及生产效率，本发明还具有成本低、易于实现的特点。

附图说明

图1为本发明实施例提供的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例作进一步地详细描述。

本发明的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置，其较佳的具体实施方式是：

包括承片平台，所述承片平台上表面的中心位置设置一个贯通所述承载平台的定位槽，所述定位槽长度方向的两端分别设有定位台阶，所述定位槽内部设置一个真空槽，所述真空槽的底部设有抽真空孔，所述定位槽宽度方向的两侧设置分别设有弧形挡板，所述弧形挡板的弧形圆心指向所述承片平台的中心方向。

所述定位槽的宽度尺寸与基片一致，所述定位台阶的长度小于所述基片的宽度，所述定位台阶的高度与所述基片相同，两个所述定位台阶的内间距与所述基片的长度相同。

所述定位台阶的长度小于所述基片的宽度4mm。

所述真空槽的形状与基片相似，所述真空槽的平面尺寸小于所述基片的尺寸。

所述真空槽的深度为0.5mm。

所述弧形挡板的长度与基片的长度一致，所述弧形挡板的高度方向的弧长为1.5厘米。

本发明的大面积异形晶片匀胶均匀性控制装置，在承片平台上表面的中心位置设置一个定位槽，且在定位槽长度方向设置两个定位台阶，用于基片定位；所述定位槽内部设置一个真空槽，用于更好地抽真空吸附基片；在定位槽宽度方向的两侧设置两个弧形挡板，且弧形挡板的圆心指向承片平台的中心方向，用于控制基片周边气流，提高匀胶均匀性。解决了半导体芯片制作中大面积异形基片匀胶不均匀的问题，能有效防止异形基片端面匀胶不均匀，显著提高半导体芯片的性能及生产效率，本发明还具有成本低、易于实现的特点。

具体实施例：

如图1所示，包括承片平台1，在承片平台1上表面的中心位置设置定位槽4，尺寸与基片一致，且在定位槽长度方向设置两个定位台阶5，用于基片定位；所述定位槽4内部设置真空槽2，形状与基片相似，尺寸小于基片，深度为0.5mm，用于更好地抽真空吸附基片；在定位槽4宽度方向的两侧设置两个弧形挡板3，其长度与基片长度一致，弧长为1.5厘米，且弧形挡板的圆心指向承片平台的中心方向，用于控制基片周边气流，有效防止异形基片端面匀胶不均的问题，从而提高匀胶的均匀性。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。