[发明专利]半导体封装件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件，尤指一种具屏蔽结构的半导体封装件。

背景技术

由于电子产业的蓬勃发展，大部份的电子产品均朝向小型化及高速化的目标发展，尤其是通讯产业的发展已普遍运用整合于各类电子产品，例如移动电话(Cell phone)、膝上型电脑(laptop)等。然而，上述的电子产品需使用高频的射频芯片，且射频芯片可能相邻设置数字集成电路、数字讯号处理器(DSP,Digital Signal Processor)或基频芯片(BB,Base Band)，造成电磁干扰的现象，故需进行电磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)处理。

如图1所示，现有半导体封装件1包括一基板10、设于该基板10上的多个芯片11、包覆该些芯片11的封装胶体12、及遮盖该封装胶体12的金属层13。由于该些芯片11具有高频的特性，故利用金属层13以达到电磁屏蔽的效果。

此外，如图1’所示，入射波W经由该金属层13后会形成电磁衰减的穿射波T，而屏蔽效能（Shielding effectiveness,SE）为一外壳如何衰减电磁场的测量值，且理论上的均质材料的屏蔽效能可由下列公式计算：

SE=R+A+B≒R+A

其中，R为反射损失(Reflective loss)，A为吸收损失(absorption loss)，B为二次反射损失（极小，可忽略），且吸收损失的公式为：

A=8.69(t/δ)=131.7tfμrσrdB]]>

其中，t是屏蔽层（如该金属层13）的厚度，f是波频率（frequency），μ_r是相对导磁率，σ_r是相对于铜的导电率（conductivity）。

因此，依上公式，若屏蔽物的材料与波频率均固定，则吸收损失(absorption loss)可藉由增厚该屏蔽层（如金属层13）而增加。

然而，因现有半导体封装件1仅形成单一金属层13作为屏蔽结构，若藉由增加该金属层13的厚度，会造成该半导体封装件1的整体厚度增厚，致使不符合微小化的需求。

另一方面，依上公式，若固定波频率与该金属层13的厚度，即不增加该金属层13的厚度，而改为使用较高的导磁率与导电率的材料，如高渗透性材（higher Permeability material），以增加屏蔽效能，则会使成本增加。

因此，如何解决现有技术的种种缺失，实为目前各界亟欲解决的技术问题。

发明内容

为解决上述现有技术的种种问题，本发明的目的为揭露一种半导体封装件，能增加屏蔽效能。

本发明的半导体封装件，包括：封装结构，具有至少一半导体组件；以及屏蔽结构，包含至少三屏蔽层，其相互堆栈设于该封装结构上并覆盖该半导体组件，且于连续排设的任三该屏蔽层中，位于中间的该屏蔽层的导电率小于位于两侧的该屏蔽层的导电率。

前述的半导体封装件中，该些屏蔽层的至少二层的材质为相同。

前述的半导体封装件中，该些屏蔽层的材质互不相同。

前述的半导体封装件中，该些屏蔽层的中至少一层为导体层。

前述的半导体封装件中，该些屏蔽层为导体层或非导体层，且该些屏蔽层的中至少一层为导体层。

前述的半导体封装件中，该封装结构还具有包覆该半导体组件的封装胶体，令该屏蔽结构设于该封装胶体上。

另外，前述的半导体封装件中，该屏蔽结构具有三层、四层、五层、六层或七层屏蔽层等。

由上可知，本发明的半导体封装件，藉由多个屏蔽层的设计，以衰减电磁，而增加屏蔽效能。

附图说明

图1为显示现有半导体封装件的剖面示意图；

图1’为图1的局部放大图；

图2为本发明的半导体封装件的剖面示意图；

图2’为图2的局部放大图；以及