[发明专利]电容及其制造方法

权利要求书

1.一种电容，其特征在于，包括：

下极板，由掺杂的硅衬底组成，所述硅衬底的硅为单晶硅；

介质层，由底部热氧化层、氮化硅层和顶部热氧化层组成，所述底部热氧化层由对所述硅衬底的表面进行热氧化形成，所述氮化硅层形成于所述底部热氧化层表面，所述顶部热氧化层由对所述氮化硅层的表面进行热氧化形成；

上极板，由形成于所述顶部热氧化层表面的掺杂多晶硅组成。

2.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述下极板的掺杂体浓度为1E18cm^-3～1E20cm^-3。

3.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述底部热氧化层的厚度为100埃～200埃。

4.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为150埃以上，所述顶部热氧化层的厚度为20埃～50埃。

5.一种电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底中进行离子注入形成电容的下极板，所述硅衬底的硅为单晶硅；

步骤二、对所述硅衬底表面进行热氧化形成底部热氧化层；

步骤三、在所述底部热氧化层表面形成氮化硅层；

步骤四、对所述氮化硅层的表面进行热氧化形成顶部热氧化层；由所述底部热氧化层、所述氮化硅层和所述顶部热氧化层组成所述电容的介质层；

步骤五、在所述顶部热氧化层表面淀积多晶硅，并对所述多晶硅进行掺杂；

步骤六、对掺杂后的所述多晶硅进行光刻刻蚀形成所述电容的上极板，由所述下极板、所述介质层和所述上极板组成所述电容。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤一中的离子注入后形成的所述下极板的掺杂体浓度为1E18cm^-3～1E20cm^-3；离子注入后进行退火激活，或者采用步骤二和步骤四中的热氧化工艺的热过程进行退火激活。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤二和步骤四中的热氧化都在炉管中进行。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述底部热氧化层的厚度为100埃～200埃。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为150埃以上，所述顶部热氧化层的厚度为20埃～50埃。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤五中的所述多晶硅的掺杂为在位掺杂；或者步骤五中的所述多晶硅的掺杂采用离子注入进行掺杂，所述多晶硅的离子注入之后采用快速热退火激活。