[发明专利]芯片布置和用于制造芯片布置的方法

说明书

技术领域

各种实施例总体上涉及芯片布置和用于制造芯片布置的方法。

背景技术

用于功率半导体的外壳需要对于半导体芯片的良好热和保护性能。如图1中所示，现在的功率半导体器件外壳可以基于芯片102、引线框104和用于芯片灌封的环氧树脂模塑化合物。接合线108和焊接112也可以被用在典型芯片封装中。此外，各种需求被加于芯片灌封材料。应该满足针对充分芯片保护的化学、电气和机械需求。这可能导致制造成本的显著上升，其中引线框和环氧树脂模塑化合物趋向于主导外壳的总成本。

发明内容

各种实施例提供一种芯片布置，其包括：载体；设置在所述载体之上的芯片，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中所述一个或多个接触焊盘的第一接触焊盘电接触到所述载体；至少部分包围所述芯片的第一灌封材料；以及至少部分包围所述第一灌封材料的第二灌封材料。

附图说明

在附图中，相似的参考字符通常指代遍及不同视图的相同部分。附图不必按照比例绘制，而是通常将重点放在说明本发明的原理上。在下面的描述中，参考下面的附图来描述本发明的各种实施例，在其中：

图1示出典型功率封装的构造。

图2示出根据一个实施例用于制造芯片布置的方法。

图3示出根据各种实施例的芯片布置。

图4A至4D示出根据各种实施例用于制造芯片布置的方法。

图5A至5C示出根据各种实施例用于制造芯片布置的方法的图示。

图6示出根据各种实施例的芯片布置。

图7示出根据各种实施例的芯片布置。

图8A至8C示出根据各种实施例用于制造芯片布置的方法。

图9示出根据一个实施例用于制造芯片布置的方法。

具体实施方式

下面的具体实施方式涉及通过图示方式示出具体细节的附图和可以在其中实施本发明的实施例。

词语“示例性”在这里被用来意指“充当示例、实例或图例”等等。在这里描述为“示例性”的任何实施例或设计不必解释为比其他实施例或设计的优选或有利。

词语“之上”在这里可以被用来描述在侧或表面“之上”形成特征（例如层），并且可以被用来意指该特征（例如层）可以 “直接”形成在所暗示的侧或表面上，例如与所暗示的侧或表面直接接触。词语“之上”在这里也可以被用来描述在侧或表面“之上”形成特征（例如层），并且可以被用来意指该特征（例如层）可以 “间接”形成在所暗示的侧或表面上，其中一个或多个附加层被布置在所暗示的侧或表面与所形成的层之间。

各种实施例提供用于功率芯片封装的芯片外壳，其中可以改进功率芯片封装（诸如芯片灌封材料）的成本和性能。

图2示出根据一个实施例用于制造芯片布置的方法200。该方法200可以包括：

-将芯片设置在载体之上，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中所述一个或多个接触焊盘的第一接触焊盘电接触到所述载体（在210中）；

-利用第一灌封材料至少部分包围所述芯片（在220中）；以及

-利用第二灌封材料至少部分包围所述第一灌封材料（在230中）。

图3示出根据各种实施例的芯片布置302的侧视图310。

芯片布置322可以包括载体304。芯片302（例如半导体管芯）可以被设置在载体304之上。芯片302可以包括一个或多个接触焊盘，其中该一个或多个接触焊盘的第一接触焊盘314A可以电接触到载体304。芯片302可以至少部分地被第一灌封材料316包围。第一灌封材料316可以至少部分地被第二灌封材料318包围。

图4A至4D示出根据各种实施例用于制造芯片布置322的方法400的图示。

图4A的横截面视图410示出根据一个实施例的芯片302。芯片302可以包括半导体器件（例如半导体管芯）。芯片302可以包括已经经历前端处理（比如前端线（FEOL，front end of line）工艺和后端线（BEOL，back end of line）处理）以在半导体晶圆中形成一个或多个电器件的芯片。芯片302可以包括在FEOL工艺期间形成的电活性注入区（例如源极区和/或漏极区和/或栅极区和/或栅极氧化物区）和在BEOL工艺期间形成的电互连和/或金属层和/或接触焊盘。

芯片302可以包括导电的一个或多个接触焊盘。例如，接触焊盘可以包括铜和铝中的至少一个。第一接触焊盘314A可以被形成在芯片302的底侧324之上。一个或多个接触焊盘的第二接触焊盘314B可以被形成在芯片302的顶侧326之上。