[发明专利]偏差修正方法

说明书

本发明揭示了一种偏差修正方法，包括测量关键尺寸，根据设计标准获得图形偏差；以处于版图中两侧图形对称的间隙或者线为基准，向对称的两侧分别算得各个多边形每个边的偏差；根据算得的边的偏差算得目标关键尺寸，根据所述目标关键尺寸进行OPC过程。获得的偏差更加可靠，从而保证了线和间隙结构的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及OPC过程中的一种偏差修正方法。

背景技术

集成电路的生产制造是一个非常复杂的过程，其中，光刻技术是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要动力，光刻技术的强大与否直接决定着芯片的性能。

光刻工艺通常是将需要制造的电路结构设计在掩膜版上，之后通过光刻机台将掩膜版上的电路结构放大，复制到硅片上。但是，由于光波的性质和实际投影曝光系统的问题，会有衍射受限或者成像系统的非线性滤波造成严重的能量损失，即光学近似效应（Optical Proximity Effect，OPE），从而不可避免的就会使得在将电路结构放大复制的过程中，会产生失真，尤其是对于180微米以下工艺阶段，这种失真的影响将非常巨大，完全能够让整个制程失败。为了避免这种情况发生，业界采用光学近似修正（Optical ProximityCorrection，OPC）方法，对电路结构进行预先的修正，使得修正后能够补偿OPE效应所带来的缺失部分。

目前，在OPC过程中，主要参数包括目标关键尺寸（ADI target），在设计标准（Final TEM target，即Design CD）能够获得的情况下，必须要清楚的知晓过程中产生的偏差（process bias）。通常版图中包括显示为多边形的线（line）及相邻线之间的间隙（space），请参考图1，其中存在一间隙1，其两侧的图形2、3是对称的，在现有技术中的操作中，施加于一个多边形的相对的两边的偏差是相同的，如在多边形4中，两边的偏差皆是Bias/2，但是由于并不是在任一间隙两侧的图形都是对称的，因此，这种做法获得的偏差其实与实际不符，从而在OPC过程后，获得的结果还是存在一定的差异，那这就会影响最终器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种偏差修正方法，以提高OPC的准确性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种偏差修正方法，包括：

测量关键尺寸，根据设计标准获得图形偏差；

以处于版图中两侧图形对称的间隙或者线为基准，向对称的两侧分别算得各个多边形每个边的偏差；

根据算得的每个边的偏差算得目标关键尺寸，根据所述目标关键尺寸进行OPC过程。

可选的，对于所述的偏差修正方法，所述关键尺寸包括线关键尺寸和间隙关键尺寸。

可选的，对于所述的偏差修正方法，通过ADI测量和TEM检测获得所述线关键尺寸和间隙关键尺寸。

可选的，对于所述的偏差修正方法，图形偏差包括线偏差和间隙偏差。

可选的，对于所述的偏差修正方法，所述线偏差和间隙偏差分别为所述设计标准与线关键尺寸和间隙关键尺寸的差值。

可选的，对于所述的偏差修正方法，标记所述处于版图中间位置的间隙的间隙偏差为DbiasCD，临近所述间隙的多边形的线偏差为BbiasCD，该多边形靠近该间隙的一个边的偏差为BiasedgeB2，远离该间隙的一个边的偏差为BiasedgeB1，与该间隙相隔该多边形的另一个间隙的间隙偏差为CbiasCD，临近所述另一个间隙的另一多边形靠近所述另一个间隙的一个边的偏差为BiasedgeA2，则