[发明专利]偏差修正方法有效
| 申请号： | 201310567502.8 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104635417B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏差修正 间隙结构 设计标准 图形对称 图形偏差 对称 测量 保证 | ||
1.一种偏差修正方法，其特征在于，包括：
测量关键尺寸，根据设计标准获得图形偏差；
以处于版图中两侧图形对称的间隙或者线为基准，向对称的两侧分别算得各个多边形每个边的偏差；
根据算得的边的偏差算得目标关键尺寸，根据所述目标关键尺寸进行OPC过程。
2.如权利要求1所述的偏差修正方法，其特征在于，所述关键尺寸包括线关键尺寸和间隙关键尺寸。
3.如权利要求2所述的偏差修正方法，其特征在于，通过ADI测量和TEM检测获得所述线关键尺寸和间隙关键尺寸。
4.如权利要求2所述的偏差修正方法，其特征在于，图形偏差包括线偏差和间隙偏差。
5.如权利要求4所述的偏差修正方法，其特征在于，所述线偏差和间隙偏差分别为所述设计标准与线关键尺寸和间隙关键尺寸的差值。
6.如权利要求4所述的偏差修正方法，其特征在于，标记所述处于版图中间位置的间隙的间隙偏差为D
Bias
Bias
Bias
7.如权利要求1所述的偏差修正方法，其特征在于，所述目标关键尺寸为设计标准与相应的边的偏差的差值。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
