[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法

权利要求书

1.一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：

第一步骤，使用对应逻辑电路区域的光罩进行第一次光刻工艺操作；

第二步骤，对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作；

第三步骤，对晶圆进行第一次清洗，以去除刻蚀副产物；

第四步骤，使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作；

第五步骤，对应像素电路区域层堆结构进行第二次干刻工艺操作；

第六步骤，对晶圆进行第二次清洗，以去除刻蚀副产物。

2.根据权利要求1所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，其中第四步骤中使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作包括：

步骤一：对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；

步骤二：执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；

步骤三：执行去胶；

步骤四：执行刻蚀阻挡层刻蚀，用于打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；

步骤五：执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；

步骤六：执行氧化硅去除步骤，用于刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，第四步骤中使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作还包括：步骤七，执行刻蚀后处理，用于聚合物清除或者刻蚀损伤修复。

4.根据权利要求1或2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，第二步骤中对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作包括：

步骤一：对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；

步骤二：执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；

步骤三：执行去胶；

步骤四：执行刻蚀阻挡层刻蚀，用于打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层。

5.根据权利要求4所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，第二步骤中对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作还包括：步骤七，执行刻蚀后处理，用于聚合物清除或者刻蚀损伤修复。

6.根据权利要求1或2所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述CMOS感光器件接触孔刻蚀方法实施在55nm的CMOS图像传感器工艺中。

7.一种CMOS感光器件制造方法，其采用了根据权利要求1至6之一所述的CMOS感光器件接触孔刻蚀方法。