[发明专利]碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法

权利要求书

1.碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）以无机钙盐为溶质，水和/或有机溶剂为溶剂，配制成钙盐溶液；以碳酸盐为溶质，水和/或有机溶剂为溶剂，配制成碱液；以无机镁盐为溶质，水为溶剂，配制成晶型控制剂溶液；

2）将钙盐溶液、碱液以及晶型控制剂溶液加入到电解槽中，搅拌混合均匀，形成反应液；其中，所加入的钙盐溶液中的无机钙盐与碱液中的碳酸盐的摩尔比为（1～2）：（1～4），晶型控制剂溶液中的晶型控制剂占加入的钙盐溶液、碱液以及晶型控制剂溶液总质量的0～5%；

3）在电解槽中装入阴极电极和阳极电极，并在阴极电极和阳极电极之间施加直流电压，使阴极电流密度在0.001mA·cm^-2～2mA·cm^-2，然后于0～40℃的搅拌条件下搅拌进行直流电解反应，直到阴极区生成白色固体，将白色固体收集后自然干燥，即得碳酸钙晶须。

2.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中的无机钙盐为氯化钙、氢氧化钙、碳酸氢钙或硝酸钙。

3.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在在于：所述的步骤1）中的碳酸盐为碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸钠、碳酸钾或碳酸铵。

4.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中的无机镁盐为氯化镁或硝酸镁。

5.根据权利要求1～4中任意一项权利要求所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中钙盐溶液的浓度为10^-4mg/L至无机钙盐的饱和浓度，碱液的浓度为10^-4mg/L至碳酸盐的饱和浓度，晶型控制剂溶液的浓度为0至无机镁盐的饱和浓度。

6.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中的有机溶剂为甲醇、乙醇、乙二醇或丙三醇。

7.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中的晶型控制剂溶液中的晶型控制剂占加入的钙盐溶液、碱液以及晶型控制剂溶液总质量的1～5%。

8.根据权利要求1所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤3）中阳极电极为金属氧化物电极、石墨电极或掺硼金刚石电极，阴极电极为铜电极、铁电极或石墨电极。

9.根据权利要求8所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的金属氧化物电极为钛基体二氧化铅电极或锑掺杂钛基体二氧化锡电极。

10.根据权利要求1或8所述的碳酸钙晶须的低压直流电解制备方法，其特征在于：所述的步骤3）中阴极电极和阳极电极之间施加的直流电压为0.001V～30V。