[发明专利]提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法。

背景技术

近年来显示技术发展很快，平板显示器以其完全不同的显示和制造技术使之同传统的视频图像显示器有很大的差别。传统的视频图像显示器主要为阴极射线管CRT(Cathode ray tubes)；而平板显示器与之的主要区别在于重量和体积(厚度)方面的变化，通常平板显示器的厚度不超过10cm，当然还有其它的不同，如显示原理、制造材料、工艺以及视频图像显示驱动方面的各项技术等。

平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点，并朝着高分辨率、低功耗、高集成度的方向发展，但传统的非晶硅受限于自身的特性无法满足上述要求，作为非晶硅的最佳替代者——多晶硅能够满足平板显示器未来发展的需求，因此低温多晶硅（LTPS）显示技术成为显示领域的宠儿。

作为低温多晶硅显示技术的核心工艺环节，多晶硅的制作方式及材料特性决定着显示器的性能。目前已知的多晶硅制备方式包括：低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD）、固相结晶、金属诱导和激光退火等。目前业界应用最为广泛的制备方式是激光退火工艺，通过激光产生的高温将非晶硅熔融重结晶成多晶硅。虽然通过调节激光的参数可以使得结晶效果得到优化，但退火后的多晶硅晶粒大小及均一性并非由激光参数唯一决定，其中化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）膜的厚度及氟化氢（HF）清洗的状况同样会影响到最终激光退火的工艺效果。

请参阅图1，其为现有技术中对非晶硅层进行激光退火处理的流程示意图，对均一性不是很好的非晶硅层100（存在部分区域102的膜厚偏厚）仅喷氟化氢200进行清洗，清洗后经过激光处理得到的多晶硅层300仍存在均一性问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，采用清洗单元对非晶硅层的膜厚偏厚区域进行部分蚀刻，以提升激光退火得到的多晶硅层的均一性。

为实现上述目的，本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，包括以下步骤：

步骤1、在基板上形成非晶硅层；

步骤2、将非晶硅层划分为数个区域，测量非晶硅层各区域的膜厚；

步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域，并进行标示；

步骤4、对膜厚偏厚区域的非晶硅层喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域处的部分非晶硅层，同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层各区域的膜厚趋于一致；

步骤5、对清洗后的非晶硅层进行激光退火处理，以使非晶硅层结晶形成多晶硅层。

所述步骤1中还包括在所述基板上沉积形成一缓冲层，所述非晶硅层形成于所述缓冲层上。

所述缓冲层由氮化硅及氧化硅依次沉积而形成。

所述步骤2中采用一厚度测量装置测量非晶硅层各区域的膜厚，所述厚度测量装置内预先储存有预定膜厚。

所述步骤4中采用清洗单元对非晶硅层进行清洗，该清洗单元包括：数根相互平行的蚀刻液管路、以及数根相互平行的纯水管路，所述数根蚀刻液管路与所述数根纯水管路相垂直，所述数根蚀刻液管路靠近非晶硅层的一侧设有数个喷嘴，所述数根纯水管路靠近非晶硅层的一侧设有数个喷嘴。

所述蚀刻液为氟化氢。

所述步骤5中对清洗后的非晶硅层进行激光退火处理为采用激光照射清洗后的非晶硅层。

所述激光的波长为308nm。

所述基板为玻璃基板。

所述基板为塑料基板。

本发明的有益效果：本发明提供一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，采用厚度测量装置测量非晶硅层各区域的膜厚，以得出膜厚偏厚区域，并采用清洗单元提供蚀刻液对膜厚偏厚区域的非晶硅层进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域处的部分非晶硅层，同时提供纯水对其它区域进行清洗，进而使得非晶硅层各处的膜厚趋于一致，以提升激光退火得到的多晶硅层的均一性。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有技术中对非晶硅层进行激光退火处理的流程示意图；