[发明专利]提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法

权利要求书

1.一种提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在基板（10）上形成非晶硅层（30）；

步骤2、将非晶硅层（30）划分为数个区域，测量非晶硅层（30）各区域的膜厚；

步骤3、将各区域的测量膜厚分别与预定膜厚进行比较，对于测量膜厚大于预定膜厚的区域定义为膜厚偏厚区域（42），并进行标示；

步骤4、对膜厚偏厚区域（42）的非晶硅层（30）喷洒蚀刻液进行清洗，以蚀刻掉膜厚偏厚区域（42）处的部分非晶硅层（30），同时对其它区域喷洒纯水进行清洗，进而使得非晶硅层（30’）各区域的膜厚趋于一致；

步骤5、对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理，以使非晶硅层（30’）结晶形成多晶硅层（60）。

2.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤1中还包括在所述基板（10）上沉积形成一缓冲层（20），所述非晶硅层（30）形成于所述缓冲层（20）上。

3.如权利要求2所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述缓冲层（20）由氮化硅及氧化硅依次沉积而形成。

4.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤2中采用一厚度测量装置（40）测量非晶硅层（30）各区域的膜厚，所述厚度测量装置（40）内预先储存有预定膜厚。

5.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤4中采用清洗单元（50）对非晶硅层（30）进行清洗，该清洗单元（50）包括：数根相互平行的蚀刻液管路（52）、以及数根相互平行的纯水管路（54），所述数根蚀刻液管路（52）与所述数根纯水管路（54）相垂直，所述数根蚀刻液管路（52）靠近非晶硅层（30）的一侧设有数个喷嘴（56），所述数根纯水管路（54）靠近非晶硅层（30）的一侧设有数个喷嘴（56）。

6.如权利要求5所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述蚀刻液为氟化氢。

7.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤5中对清洗后的非晶硅层（30’）进行激光退火处理为采用激光（70）照射清洗后的非晶硅层（30’）。

8.如权利要求7所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述激光（70）的波长为308nm。

9.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述基板（10）为玻璃基板。

10.如权利要求1所述的提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法，其特征在于，所述基板（10）为塑料基板。