[发明专利]一种绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法无效
| 申请号: | 201310561177.4 | 申请日: | 2013-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN103590012A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 黄雄锋;马福喜;欧阳炽洪;孙少林 | 申请(专利权)人: | 孙少林 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01F41/00 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 511340 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 绕线贴片 电感 电极 真空 多弧磁控 镀膜 方法 | ||
1.一种绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将绕线贴片电感的磁蕊采用夹具进行封装,露出待镀膜的电极面;
步骤二、将封装好的磁蕊送入真空室,真空室的真空度不小于5.0×10-3帕,同时室内温度加至260~300℃后,向真空室内充入氩气,使真空室内压力保持在2帕,进行离子轰击清洗6~10分钟;
步骤三、清洗后的磁蕊进入第一镀膜室,充入氩气使第一镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至150V~250V,占空比调至30%~80%,再开启多弧靶镀铬,靶电流为50A~80A,镀膜时间为4~10分钟;
步骤四、再进入第二镀膜室,充入氩气使第二镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启多弧靶镀铬,靶电流为50A~80A,镀膜时间为4~10分钟;
步骤五、再进入第三镀膜室,充入氩气使第三镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启直流磁控靶镀镍铬合金,镍铬合金的镍铬比例为8∶2,靶电流为25A~40A,镀膜时间为4~10分钟;
步骤六、镀镍铬合金完毕后进入第四镀膜室,充入氩气使第四镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启直流磁控靶镀镍,靶电流为25A~40A,镀膜时间为4~10分钟;
步骤七、镀镍完毕后再进入第七镀膜室,充入氩气使第七镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启直流磁控靶镀纯银,靶电流为1~3A,镀膜时间为4~10分钟;
步骤八、镀银完毕后,进入真空缓冲室进行冷却,直至温度降到100℃以下充入空气出炉,电极面镀制完毕。
2.如权利要求1所述的绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法,其特征在于,所述步骤一中的绕线贴片电感的磁蕊采用夹具进行封装前,先将所述磁蕊进行除油清洗,然后用超纯水漂洗干净,再放入烤箱中烘干水分。
3.如权利要求1或2所述的绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法,其特征在于,经过所述步骤六中的第四镀膜室进行镀镍后再进入第五镀膜室,充入氩气使第五镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启直流磁控靶镀镍,靶电流为25A~40A,镀膜时间为4~10分钟。
4.如权利要求3所述的绕线贴片电感电极面的真空多弧磁控镀膜方法,其特征在于,经过所述第五镀膜室进行镀镍后再进入第六镀膜室,充入氩气使第六镀膜室的真空度保持在3.0~5.0×10-1帕,开启偏压,电压调至80V~150V,占空比调至30%~60%,开启直流磁控靶镀镍,靶电流为25A~40A,镀膜时间为4~10分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙少林,未经孙少林许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310561177.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





