[发明专利]一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法。

背景技术

由于光学临近效应造成的光刻图形变形或失真现象主要可以分为几类：密集图形与孤立图形尺寸差异，掩模板尺寸与晶片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化以及线端缩短等。

在基于模型的光学临近修正（Optical Proximity Correction，简称OPC）方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在晶片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。基于模型的OPC修正方法通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。以线端缩短问题为例，一般未经修正的线端存在线端缩短以及线端变小圆化的问题，OPC修正通常把线端图形进行局部放大，并适当往外延伸线端以解决线端变短问题，延伸的量由模拟与目标的偏差决定，当模拟结果与目标偏差在一定范围内时，修正完成并停止。

由于基于模型的OPC修正是由软件控制的自动修正方法，通常为了避免过度修正而导致最终尺寸太小，同时过小尺寸对掩模板制作来说也是一种新的挑战，所以在基于模型的OPC修正中会设定一个最小的图形尺寸以及最小的图形间距，在OPC修正时一旦图形边的达到临界尺寸，图形边将停止移动以避免违反OPC修正设定的最小值，这一做法在基于模型的OPC修正中称为MRC（Mask RuleConstraint掩模板尺寸限制）。如图1所示，其中直线图案表示设计的目标图形，平滑的曲线图案表示基准OPC修正后的图案；虽然进行了OPC修正，但是模拟图跟目标线端相比，仍然存在线端缩短现象，图示的情况下分别缩短了22nm和18nm，其原因是在OPC修正过程中受到了MRC的限制，当线端往外移动达到临界值（本例为40nm），图形边不再继续往外移动，如图2所示，其中阴影线图案表示改进OPC之后的图案。

线端缩短现象一般不会成为致命的图形缺陷，但在线端存在互连通孔的情形下，可能导致上下层连接接触面积过小甚至失效的风险，所以OPC修正中应尽量减少或避免线端缩短效应的存在。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够针对光学临近效应造成的线端缩短问题，较好地解决部分由MRC限制造成的线端OPC修正不足问题，减少线端缩短问题发生的概率的光学临近修正方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法，其中将光刻的模拟图形跟目标图形比较，而且在模拟检查发现线端缩短报出点后，执行如下步骤：

第一步骤，用于根据报出点地坐标找出相应的线端图形，找出所有目标线端图形组，每个目标线端图形组包括两个线端图形，而且每个目标线端图形组中的两个线端图形不满足延伸方向相互平行且延伸方向处于同一直线上的条件；

第二步骤，用于针对每个目标线端图形组，量测其中的两个目标线端本身长度、两个目标线端相邻两边的长度，以及两个目标线端之间的距离；

第三步骤，用于根据所有满足条件的目标线端的量测结果，确定最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距；

第四步骤，用于以第三步骤确定的最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距作为甄选条件，对目标线端图形进行甄选，选出符合条件的所有非正对线端组，并对选出的线端图形进行切角处理，以切割掉两个非正对的目标线端的相对端两侧的角边；

第五步骤，用于在切角处理之后执行OPC修正处理。

优选地，在第三步骤中，最终线端长度为第二步骤S2量测得到的最大线端长度，但是优选地不超过设计规则规定的最小线宽的1.3倍，最终线端邻边长度为第二步骤S2量测得到的最小的线端相邻两边的长度，但不小于设计规则规定的最小线宽尺寸；最终线端距离为第二步骤S2量测得到的最大距离，但不超过设计规则规定的最小线宽的1.1倍。

优选地，甄选条件为：线端长度不超过设计规则规定的最小线宽的1.3倍，并且线端的邻边长度大于设计规则规定的最小线宽，其中两个线端的最大距离不超过设计规则规定的最小线宽的1.1倍。

优选地，在切割掉两个非针对的目标线端的相对端两侧的角边时，切除掉两个非针对的目标线端的相对端两侧的等腰直角形的角边。

优选地，切割的角边的边长为设计规则规定的最小线宽的1/4到1/3。