[发明专利]一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法有效
| 申请号: | 201310561167.0 | 申请日: | 2013-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN103543599A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
| 发明(设计)人: | 何大权;魏芳;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 缩短 效应 光学 临近 修正 方法 | ||
1.一种改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其中将光刻的模拟图形跟目标图形比较,而且在模拟检查发现线端缩短报出点后,执行如下步骤:
第一步骤,用于根据报出点地坐标找出相应的线端图形,找出所有目标线端图形组,每个目标线端图形组包括两个线端图形,而且每个目标线端图形组中的两个线端图形不满足延伸方向相互平行且延伸方向处于同一直线上的条件;
第二步骤,用于针对每个目标线端图形组,量测其中的两个目标线端本身长度、两个目标线端相邻两边的长度,以及两个目标线端之间的距离;
第三步骤,用于根据所有满足条件的目标线端的量测结果,确定最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距;
第四步骤,用于以第三步骤确定的最终线端长度、最终线端邻边长度以及最终线端间距作为甄选条件,对目标线端图形进行甄选,选出符合条件的所有非正对线端组,并对选出的线端图形进行切角处理,以切割掉两个非正对的目标线端的相对端两侧的角边;
第五步骤,用于在切角处理之后执行OPC修正处理。
2.根据权利要求1所述的改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其特征在于,在第三步骤中,最终线端长度为第二步骤量测得到的最大线端长度,但是优选地不超过设计规则规定的最小线宽的1.3倍,最终线端邻边长度为第二步骤S2量测得到的最小的线端相邻两边的长度,但不小于设计规则规定的最小线宽尺寸;最终线端距离为第二步骤量测得到的最大距离,但不超过设计规则规定的最小线宽的1.1倍。
3.根据权利要求2所述的改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其特征在于,甄选条件为:线端长度不超过设计规则规定的最小线宽的1.3倍,并且线端的邻边长度大于设计规则规定的最小线宽,其中两个线端的最大距离不超过设计规则规定的最小线宽的1.1倍。
4.根据权利要求2或3所述的改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其特征在于,在切割掉两个非针对的目标线端的相对端两侧的角边时,切除掉两个非针对的目标线端的相对端两侧的等腰直角形的角边。
5.根据权利要求2或3所述的改善线端缩短效应的光学临近修正方法,其特征在于,切割的角边的边长为设计规则规定的最小线宽的1/4到1/3。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





