[发明专利]金属源漏结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310553688.1 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103594518A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 赵梅;刘磊;王敬;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种金属源漏结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供以Ge层为表面的衬底；
在所述Ge层之上形成Sn层，其中，所述Ge层与所述Sn层之间的界面为GeSn层；
去除所述Sn层以暴露所述GeSn层；
在所述GeSn层之上形成金属层。
2.如权利要求1所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，在去除所述Sn层之前进一步包括：通过退火处理强化所述GeSn层。
3.如权利要求1所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，所述以Ge层为表面的衬底包括：纯Ge衬底或表层为Ge薄膜的衬底。
4.如权利要求1所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度为200-500nm。
5.如权利要求1所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，所述金属层为Al、Ni、Co、W、Pt、Ti、Ta、Pd、Zr中的一种或多种金属的组合。
6.如权利要求1-5所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，利用对GeSn和Sn具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述Sn层以露出所述GeSn层。
7.如权利要求6所述的金属源漏结构形成方法，其特征在于，所述清洗后保留下来的所述GeSn层的厚度为0.5-3nm。
8.一种金属源漏结构，其特征在于，包括：
以Ge层为表面的衬底；
位于所述Ge层之上的GeSn层；
位于所述GeSn层之上的金属层。
9.如权利要求8所述的金属源漏结构，其特征在于，所述GeSn层是首先在所述Ge层上形成Sn层，然后在所述Ge层和所述Sn层之间的界面处自然形成或者通过退火处理强化得到的。
10.如权利要求8所述的金属源漏结构，其特征在于，所述以Ge层为表面的衬底包括：纯Ge衬底或表层为Ge薄膜的衬底。
11.如权利要求8所述的金属源漏结构，其特征在于，所述金属层的厚度为200-500nm。
12.如权利要求8所述的金属源漏结构，其特征在于，所述金属层为Al、Ni、Co、W、Pt、Ti、Ta、Pd、Zr中的一种或多种金属的组合。
13.如权利要求8-12所述的金属源漏结构，其特征在于，所述GeSn层的表层部分是利用对GeSn和Sn具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述GeSn之上的所述Sn层后暴露出来的。
14.如权利要求13所述的金属源漏结构，其特征在于，所述清洗后保留下来的所述GeSn层的厚度为0.5-3nm。
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