[发明专利]一种振动能量采集器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201310552855.0 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN104638975A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 李志刚;欧毅;欧文;陈大鹏;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H02N2/18 分类号: H02N2/18
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 王立民;吉海莲
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 振动 能量 采集 及其 形成 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及微电子机械系统加工领域,特别涉及一种振动能量采集器及其形成方法。 

背景技术

近年来,随着电子设备和传感器等微电子机械系统应用的范围不断扩大,而传统的供电方式,如电化学电池等存在着寿命短、经常更换以及存储能量有限等缺点,已不能满足上述系统应用的需要。目前,提出的振动能量采集器是上述问题的解决方案之一。 

振动动能是广泛存在的一种能量,能量采集器是将环境中的振动能收集转化成电能输出的器件,基于振动的能量采集方法一般有三种:压电式、静电式和电磁式,压电能量采集器具有结构简单、能量密度高和寿命长的优点而备受关注。 

现有的多数振动能量采集器多为悬臂梁结构,只能工作在共振状态,而且固有频率也是一定的,这导致能量采集的工作频率较窄,限制了器件的应用范围。 

发明内容

本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一,提供一种振动能量采集器及其形成方法,提高器件工作频率的范围。 

为此,本发明提供了如下技术方案: 

一种振动能量采集器,包括框架、支撑梁、质量块、导体层和压电薄膜;其中: 

质量块,形成在支撑梁间且与支撑梁为一体结构; 

支撑梁,形成在框架内且两端悬挂固定于框架上; 

导体层,形成在质量块、支撑梁以及框架上且相互连通; 

压电薄膜,形成于支撑梁和质量块的导体层上。 

可选地,所述压电薄膜为PVDF压电薄膜。 

可选地,所述框架为矩形框架,所述支撑梁的两端分别固定在框架的两个平行边上且与另两个平行边平行间隔。 

可选地,所述框架、支撑梁以及质量块的上表面齐平,质量块的下表面凸出支撑梁的下表面。 

此外,本发明还提供了一种振动能量采集器的形成方法,包括步骤: 

提供衬底,所述衬底有第一表面和第二表面; 

在第一表面上形成图案化的介质层和其上的导体层,介质层和导体层包括框架部分、一体的支撑梁部分和质量块部分,其中,质量块部分位于支撑梁部分之间,支撑梁部分位于框架部分内,支撑梁部分的两端分别与框架部分中的两个边相连; 

在第二表面上形成与质量块部分和框架部分相对应的掩膜层,从第二表面进行刻蚀,以形成质量块和框架; 

在导体层上形成压电薄膜; 

去除支撑梁和质量块一体部分与框架部分之间衬底,以释放支撑梁和质量块。 

可选地,所述压电薄膜为PVDF压电薄膜。 

可选地,形成所述介质层和其上的导体层的步骤为:在第一表面上淀积介质材料;利用金属剥离工艺在介质材料上形成图案化的金属导体层;刻蚀介质材料,以形成图案化的介质层。 

可选地,形成质量块的步骤具体为:在第二表面上形成与质量块部分和框架部分相对应的掩膜层,并在第一表面上设置保护层,而后利用湿法腐蚀,以形成质量块;去除保护层。 

可选地,释放支撑梁和质量块的步骤具体为: 

利用湿法腐蚀去除支撑梁和质量块一体部分与框架部分之间衬底,以释放支撑梁和质量块;或者 

以导体层为掩膜,从第一表面进行刻蚀去除支撑梁和质量块一体部分 与框架部分之间衬底,以释放支撑梁和质量块。 

可选地,所述框架为矩形框架,所述支撑梁的两端分别固定在框架的两个平行边上且与另两个平行边平行间隔。 

本发明实施例提供的振动能量采集器,质量块在支撑梁间,支撑梁为双端固定,质量块在横向不会发生位移,这样,在器件随环境上下振动的时候,质量块一起上下振动,导致双端固定的支撑梁发生弯曲变形,弯曲变形是与振幅相关的非线性形变,由于压电薄膜同支撑梁和质量块一同发生非线性形变,使得在较宽的振动频率范围内,器件都可以输出电信号,有效提高了振动能量采集器的性能。 

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中: 

图1-图6B为根据本发明实施例的振动能量采集器形成过程中的结构示意图,其中包括截面示意图和俯视图。 

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310552855.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top