[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

传统的有机电致发光器件的阴极一般为银（Ag）、金（Au）等金属，制备后阴极极易渗透到有机层，对有机层造成破坏，电子在阴极附近容易淬灭，从而发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由钠盐层，空穴注入材料掺杂层和金属掺杂层组成，所述钠盐层材料选自碳酸钠、氟化钠、氯化钠和溴化钠中至少一种，所述空穴注入掺杂层包括空穴注入材料及掺杂在所述空穴注入材料中的二氧化钛，所述空穴注入材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中至少一种，所述金属掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV。

所述空穴注入材料掺杂层中所述空穴注入材料与所述二氧化钛的质量比为1:1～3:1，金属掺杂层中所述金属材料与所述钝化材料的质量比为5:1～10:1。

所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种，所述二氧化钛的粒径为20nm～200nm。

所述钠盐层厚度为5nm～20nm，空穴注入材料掺杂层厚度为10nm～50nm，所述金属掺杂层厚度为100nm～300nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；及

在电子注入层表面通过热阻蒸镀的方法制备钠盐层，所述钠盐层材料选自碳酸钠、氟化钠、氯化钠和溴化钠中至少一种，接着在所述钠盐层表面通过电子束方式制备空穴注入材料掺杂层，所述空穴注入掺杂层包括空穴注入材料及掺杂在所述空穴注入材料中的二氧化钛，所述空穴注入材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中至少一种，通过电子束蒸镀的方式在所述空穴注入材料掺杂层表面蒸镀制备所述金属掺杂层，所述金属掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种，所述金属材料功函数为-2.0eV～-3.5eV。

所述空穴注入材料掺杂层中所述空穴注入材料与所述二氧化钛的质量比为1:1～3:1，金属掺杂层中所述金属材料与所述钝化材料的质量比为5:1～10:1。

所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种，所述二氧化钛的粒径为20nm～200nm。

所述钠盐层厚度为5nm～20nm，空穴注入材料掺杂层厚度为10nm～50nm，所述金属掺杂层厚度为100nm～300nm。

所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3Pa～5×10^-5Pa，工作电流为1A～3A，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为：工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²～l00W/cm²，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。