[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 201310548219.0 | 申请日: | 2013-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN104638152A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阴极层由钠盐层,空穴注入材料掺杂层和金属掺杂层组成,所述钠盐层材料选自碳酸钠、氟化钠、氯化钠和溴化钠中至少一种,所述空穴注入掺杂层包括空穴注入材料及掺杂在所述空穴注入材料中的二氧化钛,所述空穴注入材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中至少一种,所述金属掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的钝化材料,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种,所述金属材料功函数为-2.0eV~-3.5eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入材料掺杂层中所述空穴注入材料与所述二氧化钛的质量比为1:1~3:1,金属掺杂层中所述金属材料与所述钝化材料的质量比为5:1~10:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述钠盐层厚度为5nm~20nm,空穴注入材料掺杂层厚度为10nm~50nm,所述金属掺杂层厚度为100nm~300nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层;及
在电子注入层表面通过热阻蒸镀的方法制备钠盐层,所述钠盐层材料选自碳酸钠、氟化钠、氯化钠和溴化钠中至少一种,接着在所述钠盐层表面通过电子束方式制备空穴注入材料材料掺杂层,所述空穴注入掺杂层包括空穴注入材料及掺杂在所述空穴注入材料中的二氧化钛,所述空穴注入材料选自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中至少一种,通过电子束蒸镀的方式在所述空穴注入材料掺杂层表面蒸镀制备所述金属掺杂层,所述金属掺杂层包括金属材料及掺杂在所述金属材料中的钝化材料,所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍和氧化铜中至少一种,所述金属材料功函数为-2.0eV~-3.5eV。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述空穴注入材料掺杂层中所述空穴注入材料与所述二氧化钛的质量比为1:1~3:1,金属掺杂层中所述金属材料与所述钝化材料的质量比为5:1~10:1。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述金属材料选自镁、锶、钙和镱中至少一种,所述二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述钠盐层厚度为5nm~20nm,空穴注入材料掺杂层厚度为10nm~50nm,所述金属掺杂层厚度为100nm~300nm。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述热阻蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2×10-3Pa~5×10-5Pa,工作电流为1A~3A,有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述电子束蒸镀方式的具体工艺条件为:工作压强为2×10-3~5×10-5Pa,电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2,有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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