[发明专利]一种2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器在审
| 申请号: | 201310547844.3 | 申请日: | 2013-11-08 | 
| 公开(公告)号: | CN104466316A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 | 
| 发明(设计)人: | 邵振海;宋明清 | 申请(专利权)人: | 北京东方安高微电子科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 波段 缺陷 结构 半模基片 集成 波导 滤波器 | ||
1.一种2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,包括:介质基片以及设置于所述介质基片上的金属贴片,其中,所述介质基片上设置有多个通孔,所述金属贴片包括位置相对的输入端口微带线、输出端口微带线、以及分别通过微带-半模基片集成波导过渡金属线与输入端口微带线和输出端口微带线连接的半模基片集成波导,且所述半模基片集成波导具有多个单个缺陷地结构单元及嵌套缺陷地结构单元以及与所述介质基片的通孔相通的孔。
2.根据权利要求1所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,所述单个缺陷地结构单元包括两个对称的具有开口的框型凹陷,且两个框型凹陷的开口方向相对;所述嵌套缺陷地结构单元包括多个嵌套的单个缺陷地结构单元,且所述嵌套缺陷地结构单元为对称结构。
3.根据权利要求2所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,所述单个缺陷地结构单元的个数为两个,所述嵌套缺陷地结构单元的个数为一个,且所述嵌套缺陷地结构单元位于所述两个单个缺陷地结构单元的中间。
4.根据权利要求1所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,还包括设置于所述介质基片上与金属贴片相对的一面的金属镀层。
5.根据权利要求1所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,所述通孔内壁设置有镀铜层。
6.根据权利要求1所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,所述介质基片的板材为罗杰斯板材,介电常数为2.2,板材厚度为0.254mm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的2X波段缺陷接结构-半模基片集成波导滤波器,其特征在于,还包括包裹于所述介质基片和所述金属贴片的镀金层。
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