[发明专利]半导体存储器件

说明书

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括源极线的半导体存储器件。

背景技术

半导体器件因其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子产业中受到关注。半导体器件可以分类为以下任意一种：存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的运算的半导体逻辑器件、和既包括半导体存储器件的功能又包括半导体逻辑器件的功能的芯片上系统（SOC）。

通过利用施加到各种端子（例如，位线、字线和/或源极）的电压之间的差，半导体存储器件可以读取存储在存储单元中的数据或者可以将数据写入存储单元中。如果电压控制不良，则半导体存储器件的功耗会增加。随着电子产业的发展，已经越来越需要半导体存储器件的高集成度和低功耗。已经进行了各种研究来满足上述需要。

发明内容

示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括源极线的半导体存储器件。

本发明构思的示例实施方式可以提供能够降低其功耗的半导体存储器件。

本发明构思的示例实施方式还可以提供高集成的半导体存储器件。

在示例实施方式中，提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：在一个单元阵列块中的单位单元，沿行和列二维地布置，单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元，每个单位单元包括选择元件和数据存储部；字线，连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极；位线，连接到组成所述行的单位单元的数据存储部，位线交叉字线；以及在每个单元子组中的源极线，源极线电连接到在每个单元子组中包括的单位单元的选择元件的源极端子，源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线平行于位线，并且源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。

在示例实施方式中，分别包括在单元子组中的源极线可以被彼此独立地控制。例如，半导体存储器件可以配置为在从编程操作和读出操作中选出的操作中，施加参考电压到多个单元子组中的被选单元子组的源极线；其中半导体存储器件可以配置为在所述操作中施加不同于参考电压的电压到多个单元子组中未被选择的单元子组的源极线或将其浮置。

在示例实施方式中，半导体存储器件还可以包括：在每个单元子组中的多条局部互连线，局部互连线在字线的纵向方向上彼此平行地延伸。每条局部互连线可以连接到在字线的纵向方向上布置的单位单元的源极端子，并且在每个单元子组中，源极线可以交叉局部互连线并且连接到局部互连线。一个单元子组中的局部互连线可以与其它单元子组中的局部互连线分离。

在示例实施方式中，组成每列的单位单元可以被分为分别在多个单元子组中包括的多个子列。子列成对地布置，并且在每个单元子组中，成对的子列的每个中的单位单元共用其中一条局部互连线，并且可以关于所共用的局部互连线对称。

在示例实施方式中，半导体存储器件还可以包括在每个单元子组中的虚设行。虚设行可以包括在平行于所述行的方向上布置的多个虚设单元。虚设行中的虚设单元的数据存储部可以连接到源极线。在该情形下，虚设行可以邻近所述行当中的选择行，并且虚设行和选择行之间的距离可以等于彼此相邻的行之间的距离。

在示例实施方式中，在每个单元子组中包括的位线的数目可以是至少四条。

在示例实施方式中，在每个单元子组中，设置在源极线一侧的位线的数目可以等于设置在源极线另一侧的位线的数目。

在其它示例实施方式中，提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：基板，具有在一个单元阵列块中沿行和列二维布置的多个有源部分，有源部分被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的有源部分；成对的单元栅电极，交叉组成每个列的有源部分，所述成对的单元栅电极与有源部分绝缘；第一掺杂区，在每个有源部分中在所述成对的单元栅电极之间；成对的第二掺杂区，每个第二掺杂区分别在每个有源部分的两个边缘部分中，在平面图中所述成对的单元栅电极在所述成对的第二掺杂区之间；多个数据存储部，每个分别电连接到所述成对的第二掺杂区；和在数据存储部上的导线，电连接到每个行中的有源部分的第二掺杂区，导线平行于每个行延伸。每个单元子组中的导线可以包括源极线和多条位线，并且源极线可以电连接到每个单元子组中的第一掺杂区。

在示例实施方式中，分别包括在多个单元子组中的源极线可以被彼此独立地控制。

在示例实施方式中，所述行可以关于彼此等间隔地布置，导线也可以关于彼此等间隔地布置，并且导线可以在从基板的顶表面起的相同水平上。