[发明专利]散热式镂空的形成方法及形成的散热式镂空结构

说明书

技术领域

本发明有关于一种散热式镂空的形成方法及其形成的散热式镂空结构，且特别是有关于一种可改善零组件立碑效应(Tombstone Effect)的散热式镂空的形成方法及其结构。

背景技术

随着光电、通讯、半导体等产品微小化、精密化的趋势使得笔记本电脑或行动装置必须使用更轻薄的零组件。而运用表面粘着技术(Surface mount technology，SMT)设置零件时亦随小型元件数目的增加而容易产生更多的不良现象。

在印刷电路板(Printed Circuit Board)设计上，例如元件有一端的焊盘(Pad)与大铜箔面连接，而另一端的焊盘则没有与大铜箔面连接，在回流焊接(reflow)时就容易造成不同的温度出现在焊盘的两端。图1A～1D显示一种元件立碑效应的示意图。如图1A所示，元件11两端的焊盘上的焊锡12a、焊锡12b并未熔化变形。当不同的温度出现在焊盘12，受到较高温的焊锡12a则会先熔化。如图1B所示，下压的元件11导致熔化的焊锡12a’坍塌变形。如图1C所示，焊锡12a’在熔化过程中可能受到炉内温度不稳定或履带震动等影响，熔化的焊锡12a’朝向右方焊锡12b’流动，表面张力的拉扯，将使元件11旋转并竖立，如图1D所示，此即为立碑效应(Tombstone Effect)。而越小的元件重量越轻，越容易将元件持续上拉，导致元件的立碑。

发明内容

本发明有关于一种散热式镂空的形成方法及形成的散热式镂空结构，以一数据处理器透过逻辑处理运算，对筛选出的焊盘有效率地进行挖空处理，于对应焊盘角落(如对应焊盘四个顶点处)的接触表面(如铜箔)上形成穿孔(void)，以有效率地大幅改善零组件的立碑效应(Tombstone Effect)。

根据本发明一实施例，提出一种散热式镂空的形成方法，至少包括：

载入单个或多个条件参数于一搜寻单元；

搜寻单元依据所述单个或多个条件参数于所有焊盘中搜寻出一预选焊盘群(pre-selected group of pads)；

一判断单元，判断该预选焊盘群中的各焊盘(pad)是否符合一预定处理条件，进而产生一待处理焊盘群(to-be-processed group of pads)；和

一执行单元，根据待处理焊盘群中各焊盘的至少一顶点坐标执行镂空作业，以在所述待处理焊盘群中各焊盘所在一接触面上对应所述待处理焊盘群中焊盘的顶点处形成一穿孔(void)。

在优选的实施方式中，所述单个或多个条件参数包括：一全板选取的条件参数，一特定元件群组合的条件参数和一自订选取元件的条件参数。

在优选的实施方式中，所述单个或多个条件参数进一步包括：设定一挖孔面积最小值，其中当所述穿孔的面积小于所述挖孔面积最小值的状态下，所述执行单元不执行镂空作业。

在优选的实施方式中，所述搜寻单元具有一数据资料库，所述数据资料库记录所有元件的封装名称、所述所有元件对应的焊盘尺寸和焊盘位置坐标。

在优选的实施方式中，所述搜寻单元依据所述单个或多个条件参数和所述数据资料库，于所有焊盘中搜寻出所述预选焊盘群。

在优选的实施方式中，所述预定处理条件为所述预选焊盘群的所述焊盘的焊盘位置坐标位于一铺铜区域；所述判断单元将判断的所述焊盘位置坐标位于所述铺铜区域的所述焊盘归类至所述待处理焊盘群。

在优选的实施方式中，所述数据资料库记录有对应各所述焊盘的所述顶点处的一穿孔宽度ΔX。

在优选的实施方式中，当所述判断单元产生所述待处理焊盘群，所述判断单元参照所述数据资料库的所述穿孔宽度ΔX，再由所述执行单元对所述待处理焊盘群中各所述焊盘的所述接触面上对应所述焊盘的所述顶点处形成所述穿孔。

在优选的实施方式中，所述判断单元参照所述数据资料库的该些焊盘尺寸和该些焊盘位置坐标，计算出属于所述待处理焊盘群中各所述焊盘的所述顶点坐标和对应所述顶点处的一穿孔宽度ΔX；之后，所述执行单元根据计算而得的所述顶点坐标和所述穿孔宽度ΔX，在对应所述焊盘的所述接触面上形成所述穿孔。

在优选的实施方式中，所述判断单元根据各元件的一所需线宽和各所述元件的一焊盘尺寸计算而得对应各所述焊盘的所述顶点处的一穿孔宽度ΔX。

在优选的实施方式中，各所述元件的所述所需线宽由各所述元件的一所需负载电流和提供所述接触面的一铜箔厚度而定。

在优选的实施方式中，在产生所述待处理焊盘群之后，所述散热式镂空的形成方法进一步包括：