[发明专利]一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于：以Brij76为成孔剂，以MTES和BTEE为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，制备多孔低k薄膜；

其中，Brij76为C₅₈H₁₁₈O₂₁ ， MTES为甲基三乙氧基硅烷， BTEE为1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷，EtOH为乙醇。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于： Brij76 ：MTES ：BTEE ：HCl ：EtOH ：H₂O的摩尔比为（0.125 ~ 0.250）: (0.5 ~ 1.2) : (1 ~ 3): (0.02 ~ 0.10): (40~70): (50 ~ 120)；

先将Brij76与HCl、EtOH、H₂O充分混合，然后，倒入MTES和BTEE的混合物，并在30~80℃的油浴中搅拌反应1~10小时，制得到澄清的溶胶。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：将所得溶胶溶液旋涂于硅片上，然后置于50~100 ^oC的烘箱中保温24~100小时，接着将其置于N₂气氛中在300 ~ 500 ^oC下保温0.5~3小时，后降温至100 ~ 300 ^oC取出。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：旋涂条件为：第一阶段以转速为2000 ~ 4000 r/min旋转10 ~ 60 s，第二阶段以转速为500 ~ 2000 r/min旋转10 ~ 60 s。