[发明专利]芯片卡基板的制作方法在审
| 申请号: | 201310543030.2 | 申请日: | 2013-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN104616996A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
| 发明(设计)人: | 陈河旭;谢宗志;江裕炎 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 卡基板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片卡基板的制作方法,尤其是在玻璃纤维基板的双面都形成黏着剂层,以提升整体的使用周期及可靠度。
背景技术
参阅图1,为现有技术芯片卡基板的制作方法的流程图。如图1所示,现有技术芯片卡基板的制作方法S100包含磨刷步骤S10、压胶步骤S15、冲孔步骤S30、压铜箔步骤S40、影像转移步骤S50、电镀步骤S60,以及表面封装步骤S70。以上步骤将配合图2A至图2K的逐步剖面示意图来说明。如图2A所示,磨刷步骤S10是以磨刷方式使得玻璃纤维基板10上表面及下表面的至少其中之一,形成粗糙表面15。如图2B所示,压胶步骤S15是在玻璃纤维基板10的上表面形成一黏着剂层20。
如图2C所示,冲孔步骤S30是形成贯穿该玻璃纤维基板10及该黏着剂层20的至少一通孔25,以做为导通孔,或是对位孔。如图2D所示,压铜箔步骤S40是在玻璃纤维基板10的上表面上压附一铜箔30,并适当地烘烤,使该铜箔30透过该黏着剂层20与该玻璃纤维基板10结合为一体。
图2E至图2H所示,影像转移步骤S50包含在该铜箔30形成光阻层35、以曝光及显影使该光阻层35形成光阻图案37、蚀刻未被光阻图案37所覆盖的铜箔30部份,使得铜箔30形成金属层图案39,以及剥除光阻图案37。如图2I所示,电镀步骤S60是将完成影像转移后的结构进行电镀,而使得该金属层图案39的表面,都形成一电镀层40。
如图2J及图2K所示,表面封装步骤S70是将一封装成型材料(Molding Compound)50与一热熔膜(Hot Melt Film)55依序地形成在玻璃纤维基板10的下表面,且该热熔膜55围绕该封装成型材料50,而完成芯片卡基板。芯片卡基板与芯片接合并黏附于纸卡上后,可做为现有信用卡等芯片金融商品使用。
现有技术上所面临的瓶颈主要在于,由于在制作完成信用卡之前,仍有压合、连接等步骤,现有技术上常在这些步骤中,或是在使用者使用一段时间后,出现热熔膜55与该封装成型材料50脱落的现象,而使得整体的可靠度降低,因此,需要一种能够解决现有技术的问题,并提升可靠度的方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种芯片卡基板的制作方法,该方法包含双面压胶步骤、冲孔步骤、压铜箔步骤、影像转移步骤、电镀步骤,以及表面封装步骤。双面压胶步骤是在玻璃纤维基板的上、下表面,各形成一黏着剂层。冲孔步骤是形成贯穿该玻璃纤维基板及所述黏着剂层的至少一通孔以做为导通孔,或是对位孔。压铜箔步骤是在玻璃纤维基板的上表面上压附铜箔,并适当地烘烤,使该铜箔透过该黏着剂层与该玻璃纤维基板结合为一体。
影像转移步骤利用形成光阻、曝光、显影及蚀刻,使得铜箔形成金属层图案。电镀步骤是将完成影像转移后的结构进行电镀,而使得该金属层图案的表面,都形成一电镀层,该电镀层包含金、银、镍、钴、钯及其合金的其中之一。表面封装步骤是将封装成型材料与热熔膜形成在玻璃纤维基板的下表面,使该封装成型材料与该热熔膜透过黏着剂层与该玻璃纤维基板结合为一体,且该热熔膜围绕该封装成型材料,而完成本发明的芯片卡基板。藉由在玻璃纤维基板的上下表面上都形成黏着剂层,而能改善玻璃纤维基板与封装成型材料与热熔膜的黏着性,避免在后续芯片封装,或是长期使用后脱落,从而改善了整体芯片卡基板的使用周期及可靠性。
附图说明
图1为现有技术芯片卡基板的制作方法的流程图;
图2A至图2K为现有技术芯片卡基板的制作方法的逐步剖面示意图;
图3为本发明芯片卡基板的制作方法的流程图;以及
图4A至图4K为本发明芯片卡基板的制作方法的逐步剖面示意图。
其中,附图标记说明如下:
10玻璃纤维基板
15粗糙表面
20黏着剂层
25通孔
30铜箔
35光阻层
37光阻图案
39金属图案层
40电镀层
50封装成型材料
55热熔膜
S1芯片卡的制作方法
S10磨刷步骤
S15压胶步骤
S20双面压胶步骤
S25熟化步骤
S30冲孔步骤
S40压铜箔步骤
S45表面平整化步骤
S50影像转移步骤
S60电镀步骤
S70表面封装步骤
S100芯片卡的制作方法
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





