[发明专利]芯片卡基板的制作方法在审
| 申请号: | 201310543030.2 | 申请日: | 2013-11-05 | 
| 公开(公告)号: | CN104616996A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 | 
| 发明(设计)人: | 陈河旭;谢宗志;江裕炎 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 | 
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 | 
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 卡基板 制作方法 | ||
1.一种芯片卡基板的制作方法,其特征在于,包含:
一双面压胶步骤,在一玻璃纤维基板的一上表面及一下表面,各形成一黏着剂层;
一冲孔步骤,形成贯穿该玻璃纤维基板及所述黏着剂层的至少一通孔;
一压铜箔步骤,在该玻璃纤维基板的该上表面上压附一铜箔,并烘烤使该铜箔透过该黏着剂层与该玻璃纤维基板结合;
一影像转移步骤,藉由一影像转移方式,使该铜箔形成为一金属层图案;
一电镀步骤,将完成该影像转移步骤后的结构进行电镀,而使得该金属层图案的表面形成一电镀层;以及
一表面封装步骤,将一封装成型材料与热熔膜依序地形成在该玻璃纤维基板的该下表面,并烘烤使该封装成型材料与该热熔膜透过黏着剂层与该玻璃纤维基板结合,且该热熔膜围绕该封装成型材料,
其中该电镀层包含金、银、镍、钴、钯及其合金的其中之一。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该玻璃纤维基板的厚度为90~130μm,所述黏着剂层的厚度为5~20μm。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在该双面压胶步骤与该冲孔步骤之间进一步包含一熟化步骤,该熟化步骤利用至少一次加热熟化的方式,使该黏着剂层熟化,而使得该黏着剂层的流动性降低。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该影像转移方式包含在该铜箔上形成一光阻层、以曝光及显影使该光阻层形成一光阻图案、蚀刻未被该光阻图案所覆盖的铜箔部份,使得铜箔形成金属层图案,以及剥除该光阻图案。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包含一表面平整化步骤,利用一化学微蚀刻的方式,使得该铜箔的曝露于该通孔的表面变为平整。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,该表面粗化步骤进一步使该铜箔的上表面形成粗糙表面。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该封装成型材料为一树脂或一光照固化胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





