[发明专利]测试键结构及其形成方法

权利要求书

1.一种测试键结构，其特征在于，包括：

衬底;

设置于衬底中的隔离结构，所述隔离结构在衬底中围成封闭框，用于将所述衬底分成位于封闭框内的第一衬底区和位于封闭框外的第二衬底区；

覆盖于所述第一衬底区表面的第一栅极氧化层；

覆盖于所述第二衬底区表面的第二栅极氧化层；

位于所述第一栅极氧化层表面的第一浮栅；

位于所述第一浮栅表面以及隔离结构表面的氧化物-氮化硅—氧化物膜；

位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，所述控制栅完全覆盖所述隔离结构且部分覆盖所述第一浮栅，露出所述第一浮栅中间区域的氧化物—氮化硅—氧化物膜的表面。

2.根据权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，所述测试键结构还包括：位于所述第二栅极氧化层表面的第二浮栅；所述氧化物—氮化硅—氧化物膜还位于所述第二浮栅表面；所述控制栅部分覆盖所述第二浮栅，露出所述第二浮栅上远离隔离结构的氧化物—氮化硅—氧化物膜。

3.根据权利要求2所述的测试键结构，其特征在于，所述测试键结构还包括：位于所述控制栅表面及控制栅露出的第一浮栅、第二浮栅及所述第二浮栅露出的衬底上的层间介质层。

4.根据权利要求2所述的测试键结构，其特征在于，所述测试键结构还包括：

贯穿所述层间介质层、氧化物—氮化硅—氧化物膜，并与第一浮栅相接触的第一金属互联结构；

贯穿所述层间介质层、氧化物—氮化硅—氧化物膜，并与第二浮栅相接触的第二金属互联结构；

贯穿所述层间介质层，并与控制栅相接触的第三金属互联结构。

5.根据权利要求2所述的测试键结构，其特征在于，所述第二浮栅为围绕所述隔离结构的封闭结构，所述控制栅为封闭结构。

6.根据权利要求5所述的测试键结构，其特征在于，所述隔离结构围成正方形框的封闭结构；所述第一浮栅为正方形；所述第二浮栅为围绕所述隔离结构的正方形框；所述控制栅围成正方形框。

7.根据权利要求6所述的测试键结构，其特征在于，正方形框第二浮栅与正方形第一浮栅的中心重合；正方形框控制栅与正方形第一浮栅的中心重合。

8.根据权利要求1所述的测试键结构，其特征在于，所述控制栅的侧壁上设置有侧墙。

9.根据权利要求4所述的测试键结构，其特征在于，所述第一金属互联结构位于控制栅露出的所述第一浮栅中间区域的中心位置处，所述第二金属互联结构位于控制栅露出的所述第二浮栅远离隔离结构的位置处，所述第二金属互联结构和第三金属互联结构的数量为多个，多个第二金属互联结构均匀分布，多个第三金属互联结构均匀分布。

10.一种测试键结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成隔离结构，所述隔离结构在衬底中围成封闭框，将所述衬底分成位于封闭框内的第一衬底区和位于封闭框外的第二衬底区；

在所述第一衬底区表面覆盖第一栅极氧化层；

在所述第二衬底区表面覆盖第二栅极氧化层；

在所述第一栅极氧化层表面形成第一浮栅；

在所述第一浮栅表面以及隔离结构的表面形成氧化物—氮化硅—氧化物膜；

在所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面形成控制栅，使所述控制栅完全覆盖所述隔离结构且部分覆盖所述第一浮栅，以露出所述第一浮栅中间区域的氧化物—氮化硅—氧化物膜的表面。

11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在形成第二栅极氧化层之后还包括：在所述第二栅极氧化层表面形成第二浮栅；

形成氧化物—氮化硅—氧化物膜的步骤包括：还在所述第二浮栅的表面形成氧化物—氮化硅—氧化物膜；

形成控制栅的步骤包括：使所述控制栅部分覆盖所述第二浮栅，露出所述第二浮栅远离隔离结构区域的氧化物—氮化硅—氧化物膜的表面。

12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，在形成所述控制栅以后，还包括：在所述控制栅表面及控制栅露出的第一浮栅、第二浮栅以及所述第二浮栅外露出的衬底上形成层间介质层。