[发明专利]等离子体处理装置和等离子体产生装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体产生装置。

背景技术

作为对半导体晶圆等基板（以下称为“晶圆”）进行例如氮化硅膜（Si－N）等薄膜的成膜的成膜装置，公知有例如日本特开2011－40574所记载的装置。在该装置中，采用按顺序将相互反应的多种处理气体（反应气体）供给到晶圆表面而层叠反应生成物的ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）法。即，以与用于载置晶圆的旋转台相对的方式沿着真空容器的周向配置有多个气体喷嘴。另外，为了使用等离子体来进行反应生成物的改性，将等离子体区域配置于气体喷嘴之间。

在这样的装置中，由于晶圆通过旋转台进行公转，因此，该晶圆的靠旋转台的旋转中心侧的部位的线速度和靠旋转台的外缘侧的部位的线速度不同。具体而言，晶圆的靠旋转台的旋转中心侧的部位的线速度比靠旋转台的外缘侧的部位的线速度慢，例如为1/3左右。因此，晶圆的靠上述旋转中心侧的部位的等离子体照射时间长于靠外缘侧的部位的等离子体照射时间，因此，根据工艺的类型的不同，旋转台的半径方向上的等离子体处理的程度有时不能获得良好的均匀性。而且，与真空容器内的处理压力、等离子体产生用的高频电力值等处理制程相对应，真空容器内的等离子体产生量、等离子体的分布容易变化。

发明内容

在日本特开2008－288437中记载了法拉第屏蔽件，并且，在日本特开2008－248281中记载了能够改变阻抗的调整器31，但均没有记载用于对等离子体处理的程度进行调整的技术。

本发明的一技术方案提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：真空容器；基板载置部，其设于上述真空容器内，用于载置基板；气体供给部，其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供给过来的上述等离子体产生用气体等离子体化；法拉第屏蔽件，其设于上述天线与产生等离子体的区域之间，该法拉第屏蔽件由导电板构成，在该导电板中，沿着天线的长度方向排列有多个以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成的狭缝，以阻隔由上述天线形成的电磁场中的电场并使磁场通过；以及调整构件，其由导电体构成，用于对上述狭缝的开口面积进行调整，以调整在上述天线的长度方向上的等离子体密度。

附图说明

图1是表示本发明的等离子体处理装置的一个例子的纵剖视图。

图2是上述等离子体处理装置的横剖俯视图。

图3是上述等离子体处理装置的横剖俯视图。

图4是将上述等离子体处理装置的等离子体产生容器放大来表示的纵剖视图。

图5是表示上述等离子体产生容器的立体图。

图6是表示上述等离子体产生容器的一部分的立体图。

图7是表示上述等离子体产生容器的一部分的立体图。

图8是表示上述等离子体产生容器的分解立体图。

图9是表示上述等离子体产生容器的分解立体图。

图10是表示设于上述等离子体产生容器的法拉第屏蔽件的立体图。

图11是表示上述法拉第屏蔽件的侧视图。

图12是表示上述等离子体产生容器的俯视图。

图13是表示用于对上述法拉第屏蔽件的狭缝的开口面积进行调整的开闭器的立体图。

图14是表示上述等离子体处理装置中的辅助等离子体产生部的纵剖视图。

图15是表示上述辅助等离子体产生部的分解立体图。

图16是表示上述辅助等离子体产生部的俯视图。

图17是示意性表示将上述等离子体处理装置沿周向剖切的情况的纵剖视图。

图18是概略地表示上述等离子体处理装置的作用的纵剖视图。

图19是概略地表示上述等离子体处理装置的作用的纵剖视图。

图20是概略地表示上述等离子体处理装置的作用的横剖俯视图。

图21是概略地表示上述等离子体处理装置的作用的横剖俯视图。

图22是表示上述等离子体处理装置的另一例子的分解立体图。

图23是表示上述等离子体处理装置的又一例子的分解立体图。

图24是表示上述又一例子中的作用的侧视图。

图25是表示上述又一例子中的作用的侧视图。

图26是表示上述等离子体处理装置的再一例子的立体图。

图27是表示上述等离子体处理装置的另一例子的侧视图。