[发明专利]等离子体处理装置和等离子体产生装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置包括：

真空容器；

基板载置部，其设于上述真空容器内，用于载置基板；

气体供给部，其用于向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；

天线，能向该天线供给高频电力而使自上述气体供给部供给过来的上述等离子体产生用气体等离子体化；

法拉第屏蔽件，其设于上述天线与产生等离子体的区域之间，该法拉第屏蔽件由导电板构成，在导电板中，沿着天线的长度方向排列有多个以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成狭缝，以阻隔由上述天线形成的电磁场中的电场并使磁场通过；以及

调整构件，其由用于调整上述狭缝的开口面积的导电体构成，以调整在上述天线的长度方向上的等离子体密度。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述气体供给部是沿着上述天线的长度方向延伸的气体喷嘴，

上述狭缝以不能自上述气体喷嘴经由上述狭缝看到上述天线的方式配置，以抑制磁场到达上述气体喷嘴。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置包括移动机构，该移动机构用于使上述基板载置部和由上述气体供给部、上述天线、上述法拉第屏蔽件以及调整构件构成的组装体在等离子体处理过程中相对地移动。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述基板载置部是用于使基板公转的旋转台，

上述移动机构是用于使旋转台旋转的旋转机构，

上述天线以自上述旋转台的中心侧朝向上述旋转台的外缘侧延伸的方式形成。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述真空容器的顶面的一部分自上述旋转台的旋转中心侧朝向上述旋转台的外缘侧延伸并向上方突出而构成为突出部，以形成用于产生等离子体的区域，

上述天线以在俯视时包围该突出部的方式配置，

上述气体供给部被容纳在上述突出部内，

上述法拉第屏蔽件构成上述突出部的侧周面的一部分，

在上述突出部的靠上述旋转中心侧的部位和靠上述外缘侧的部位没有狭缝，或者，在上述突出部的靠上述旋转中心侧的部位和靠上述外缘侧的部位的狭缝的排列密度小于形成于上述突出部的靠上述旋转台的旋转方向上游侧的侧面和上述突出部的靠上述旋转方向下游侧的侧面的狭缝的排列密度。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述调整构件沿着上述天线的长度方向配置在多处。

7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述调整构件分别配置在比上述突出部靠上述旋转台的旋转方向上游侧的部位和比上述突出部靠上述旋转台的旋转方向下游侧的部位，

位于比上述突出部靠上述旋转台的旋转方向上游侧的部位的调整构件和位于比上述突出部靠上述旋转台的旋转方向下游侧的部位的调整构件被配置成互不相同的数量，以使得自上述旋转方向上游侧和自上述旋转方向下游侧分别到达上述突出部内的磁场的量互不相同。

8.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置包括：

处理气体喷嘴，其以在上述真空容器的周向上与上述气体供给部分开的方式配置，用于供给吸附于基板的处理气体；以及

分离气体喷嘴，其用于向分离区域供给分离气体，该分离区域用于将被供给等离子体产生用气体的区域和被供给处理气体的区域之间分离，

上述气体供给部是用于供给生成活性种的反应气体的喷嘴，该活性种用于同吸附于上述基板的处理气体的成分反应。

9.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

该等离子体处理装置包括：

多个处理气体喷嘴，该多个处理气体喷嘴分别以在上述真空容器的周向上与上述气体供给部分开的方式配置，用于分别供给相互反应的处理气体，以在基板的表面上形成反应生成物；以及

分离气体喷嘴，其用于向分离区域供给分离气体，该分离区域将被供给各个处理气体的区域互相分离，

上述气体供给部是用于供给生成活性种的气体的喷嘴，该活性种用于将形成于上述基板的反应生成物改性。