[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310542586.X | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104616993A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李勇;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；
在所述伪栅极结构的两侧形成侧墙，并执行重掺杂离子注入，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区；
在所述半导体衬底上形成完全覆盖所述伪栅极结构的应力材料层；
执行退火工艺；
执行固相外延再生长工艺；
去除所述应力材料层；
去除所述伪栅极结构，并在留下的沟槽内依次形成高k介电层和金属栅极结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括虚拟氧化物层和虚拟栅极材料层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在执行重掺杂离子注入之后去除所述侧墙的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成高k介电层和金属栅极结构之后形成接触孔，并在通过所述接触孔露出的所述重掺杂源/漏区上形成自对准硅化物的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固相外延再生长工艺的反应温度为550℃-750℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固相外延再生长工艺的反应时间为25min-35min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通入惰性气体的条件下执行所述固相外延再生长工艺，所述惰性气体为氩气或者氮气。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺包括峰值退火和激光退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
