[发明专利]具有增加光取出效率的交流发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有增加光取出效率的交流发光装置；本发明还涉及所述交流发光装置的制造方法。

背景技术

随着光电产业的快速发展，作为光源的一的发光二极管（LED Light Emitting Diode）由于具有省电的特点，已大量广泛地应用于各种照明或需光源的领域，且发光二极管于光电领域中占有举足轻重的地位。正因如此，世界各国厂商莫不投入大量资源于相关技术的开发，而于2005的韩国汉城半导体与美国III-N Technology的产品发表会更说明了交流式发光二极管（AC LED）产品的发展趋势，成为全球性发光二极管厂商的开发趋势。

从交流式发光二极管的技术发展至今，主要的技术发展在于改善交流式发光二极管的电性问题。例如：交流式发光二极管无法于交流电正负半周讯号输入时皆可发光（全时发光）的问题，因而发展出一种桥式交流式发光二极管结构，其主要利用惠斯登电桥（Wheatstone Bridge）的整流设计概念，以使发光二极管于交流电正负半周讯号输入时的每一瞬间仅有总数1/2的交流式电发光二极管发光的现象得以改善，而能全时发光。

然而，现今交流式发光二极管结构中针对光学特性仍有其发展性，例如：全反射问题的改善。由于交流式发光二极管的发光层产生光线后，大部分光线是在交流式发光二极管结构中传递，而交流式发光二极管结构中的光线需经折射的方式才能传递至交流式发光二极管结构外；但光线折射的角度有限，当光线的入射角度超过能折射的角度范围时，光线会发生全反射，因而造成部分光线仍然在交流式发光二极管结构中，却无法传递出交流式发光二极管结构外；如此交流式发光二极管无法发挥原有的发光效能。

此外，交流式发光二极管的发光层照射至基板的光线中，部分光线为直线前进，因而导致部分光线仅能被基板吸收或基板与发光层之间来回反射，光线却无法往交流式发光二极管的侧面传播。如此基板所吸收的光能将转为热能发散，所以造成交流式发光二极管的发光效能降低并造成过热。

综合上述，交流式发光二极管的主要设计为光源的使用，如何提高其发光效率为一主要课题，而交流式发光二极管使用于人类的家庭较为广泛，故解决上述的问题实为一最大的课题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种具有增加光取出效率的交流发光装置，能够有效增加光取出效率；为此，本发明还要提供一种所述交流发光装置的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明的具有增加光取出效率的交流发光装置所采用的技术方案之一是，包括：

一基板，其具有复数凹槽；

一第一发光二极管，设置于所述复数凹槽上；

一第二发光二极管，设置于所述复数凹槽上，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间；以及

一导体，其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管可依一交流电发光；

其中，所述第一发光二极管包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一发光层，设置于所述N型半导体层上；

一P型半导体层，设置于所述发光层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上，所述第一电极耦接所述导体；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上。

上述交流发光装置的制造方法是：

提供一基板并蚀刻复数凹槽于所述基板上；

分别形成一第一发光二极管与一第二发光二极管于所述复数凹槽上，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间；以及

设置一导体于所述分隔空间上并连接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管；

其中，所述第一发光二极管包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一发光层，设置于所述N型半导体层上；

一P型半导体层，设置于所述发光层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上，所述第一电极耦接所述导体；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上。