[发明专利]具有增加光取出效率的交流发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种具有增加光取出效率的交流发光装置，其特征在于，包括：

一基板，其具有复数凹槽；

一第一发光二极管，设置于所述复数凹槽上；

一第二发光二极管，设置于所述复数凹槽上，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间具有一分隔空间；以及

一导体，其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管可依一交流电发光；

其中，所述第一发光二极管包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一发光层，设置于所述N型半导体层上；

一P型半导体层，设置于所述发光层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上，所述第一电极耦接所述导体；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上。

2.如权利要求1所述的交流发光装置，其特征在于：还包括，

一绝缘层，设置于所述第一发光二极管与所述第二发光二极管之间，并位于所述分隔空间。

3.如权利要求1所述的交流发光装置，其特征在于：所述第一发光二极管包含一散射结构，设置于所述P型半导体层上。

4.如权利要求1所述的交流发光装置，其特征在于：所述第二发光二极管包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一发光层，设置于所述N型半导体层上；

一P型半导体层，设置于所述发光层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上，所述第二电极耦接所述导体。

5.如权利要求4所述的交流发光装置，其特征在于：所述第二发光二极管包含一散射结构，设置于所述P型半导体层上。

6.如权利要求1所述的交流发光装置，其特征在于：还包括，

一桥式整流电路，其耦接所述第一发光二极管与所述第二发光二极管。

7.如权利要求6所述的交流发光装置，其特征在于：所述桥式整流电路包含复数半导体磊晶层。

8.如权利要求7所述的交流发光装置，其特征在于：所述复数半导体磊晶层为复数第三发光二极管，其分别包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一发光层，设置于所述N型半导体层上；

一P型半导体层，设置于所述发光层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上。

9.如权利要求8所述的交流发光装置，其特征在于：所述第三发光二极管包含一散射结构，设置于所述P型半导体层上。

10.如权利要求7所述的交流发光装置，其特征在于：所述复数半导体磊晶层为复数二极管，其分别包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一P型半导体层，设置于所述N型半导体层上；

一第一电极，设置于所述N型半导体层上；以及

一第二电极，设置于所述P型半导体层上。

11.如权利要求10所述的交流发光装置，其特征在于：所述复数二极管包含一散射结构，设置于所述P型半导体层上。

12.如权利要求7所述的交流发光装置，其特征在于：所述复数半导体磊晶层为复数二极管，其分别包含：

一外延堆栈层，设置于所述复数凹槽上；

一N型半导体层，设置于所述外延堆栈层上；

一第一电极，设置于所述外延堆栈层上；以及

一第二电极，设置于所述N型半导体层上。

13.如权利要求12所述的交流发光装置，其特征在于：所述复数二极管包含一散射结构，设置于所述N型半导体层上。

14.如权利要求1、4、8、10或12所述的交流发光装置，其特征在于：所述外延堆栈层的掺杂浓度较N型半导体层的掺杂浓度低。