[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明的实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。

背景技术

发光二极管（LED）已被广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成例如红外光、可见光和紫外光等光的形式。

随着发光器件的光效率增加，发光器件已被用于各种领域，例如显示装置和照明器具。

发明内容

实施方案提供能够防止电流集中并且提高电可靠性和光效率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。

根据实施方案的发光器件包括：发光结构，其具有第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；设置在第一导电半导体层上的多个第一电极；电连接至第二导电半导体层的第二电极；设置在第二电极下方的导电支承构件；分别将第一电极电连接至导电支承构件的多个第一连接部；以及电连接至第二电极的第二连接部，其中第一电极在第一导电半导体层的顶表面上的彼此间隔开。

根据实施方案，第一电极可以以点的形式布置在第一导电半导体层上。

根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以防止电流集中并且提高电可靠性和光效率。

附图说明

图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。

图2是沿图1所示的发光器件的线A-A截取的截面图。

图3至图7是示出制造发光器件的方法的截面图。

图8至图13是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图。

图14是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。

图15是示出根据实施方案的显示器件的分解透视图。

图16是示出根据实施方案的显示器件的另一实例的截面图。

图17是示出根据实施方案的光单元的分解透视图。

具体实施方式

在实施方案的描述中，应理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为处于另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接”或“间接”处于其它衬底、层（或膜）、区域、焊垫或图案之上，或者还可以存在一个或更多个中间层。层的这种位置是参照附图描述的。

为了方便或清楚的目的，图中示出的每层的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。

下文中，将参照附图详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。

图1是示出根据实施方案的发光器件的视图，图2是沿图1所示的发光器件的线A-A截取的截面图。

如图1和图2所示，根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、导电支承构件70、第一电极80以及第二电极87。

发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以设置在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11下方，并且第二导电半导体层13可以设置在有源层12下方。

第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。

例如，第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体来实现。

例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第一导电半导体层11可以包含选自掺杂有N型掺杂剂（如Si、Ge、Sn、Se以及Te）的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种。

通过经由第一导电半导体层11注入的电子（或空穴）和经由第二导电半导体层13注入的空穴（或电子）的复合，有源层12发射具有如下波长的光：该波长对应于根据构成有源层12的材料的能隙差。有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构中的一种，但实施方案不限于此。