[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的有源层以及在所述有源层下方的第二导电半导体层；

多个第一电极，所述多个第一电极设置在所述第一导电半导体层上；

第二电极，所述第二电极电连接至所述第二导电半导体层；

导电支承构件，所述导电支承构件设置在所述第二电极下方；

多个第一连接部，所述第一连接部分别将所述第一电极电连接至所述导电支承构件；以及

第二连接部，所述第二连接部电连接至所述第二电极，

其中所述第一电极在所述第一导电半导体层的顶表面上彼此间隔开。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极以点的形式布置在所述第一导电半导体层上。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极布置在所述第一导电半导体层周围。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中彼此相邻的所述第一电极彼此间隔开100μm至500μm的距离。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部布置在所述发光结构的侧面。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一连接部彼此间隔开。

7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述发光结构的下部周围的沟道层，其中所述第二连接部的一端设置在所述沟道层上。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二连接部的所述一端与所述发光结构的侧壁间隔开并且在所述发光结构的侧面处露出。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的顶表面高于所述有源层的顶表面。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括在所述第二导电半导体层下方的金属层，并且所述第二连接部电连接至所述金属层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，还包括：设置在所述金属层和所述导电支承构件之间的绝缘层。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述绝缘层的顶表面在所述发光结构的下部的外周部处露出。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一连接部穿过所述绝缘层电连接至所述导电支承构件。

14.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：设置在所述第一连接部和所述发光结构之间的保护层。

15.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述有源层。

16.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层围绕所述第二导电半导体层。

17.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端设置在所述第二导电半导体层下方。

18.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端接触所述第二导电半导体层的下表面。

19.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述沟道层的一端设置在所述第二导电半导体层和所述第二电极之间。

20.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极以几微米至几十微米的范围内的宽度形成在所述第一导电半导体层上。

21.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部布置在所述发光结构的侧面，并且彼此相邻的所述第一电极彼此间隔开100μm至500μm的距离。

22.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一连接部接触所述第一导电半导体层的侧面。