[发明专利]激光功率监测组件及应用其的激光发射模块、光放大器无效
| 申请号: | 201310529395.X | 申请日: | 2013-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN103557937A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 常明超;刘宇;谢亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;H01S5/50;H01S5/10 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 功率 监测 组件 应用 发射 模块 放大器 | ||
1.一种激光功率监测组件,其特征在于,包括:
二维纳米线光栅,具有一定厚度,其前表面具有光栅结构,激光以入射角α由其前表面入射,在所述光栅结构作用下,部分入射激光经过该二维金属纳米线光栅反射,偏离入射方向出射;以及
光探测器,光敏面朝向经所述二维纳米线光栅反射的激光方向,用于探测被所述二维纳米线光栅反射偏离入射方向激光的功率。
2.根据权利要求1所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述二维纳米线光栅的厚度介于0.5mm~5mm之间。
3.根据权利要求2所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述光栅结构中,狭缝宽度和狭缝间距均介于100nm~500nm之间,光栅厚度介于60nm~100nm之间。
4.根据权利要求3所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述纳米线光栅的厚度为1mm;
所述光栅结构的狭缝间距为140nm,狭缝宽度为150nm,厚度为80nm。
5.根据权利要求1所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述入射角α介于0°与50°之间。
6.根据权利要求5所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述入射角α为10°。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光功率监测组件,其特征在于,所述二维纳米线光栅中纳米结构的材料为金属材料或液晶材料。
8.根据权利要求至7中任一项所述的激光功率监测组件,其特征在于:
所述光探测器为光电二极管或雪崩光电管;
所述二维纳米线光栅的光栅结构的材料为铝、铟或金;
所述二维纳米线光栅的衬底材料为聚对苯二甲酸乙二酯或BK7玻璃。
9.一种激光发射模块,其特征在于,包括:
管壳,具有一基座及至少一信号管脚;
依次排列的激光发射芯片、光隔离器和光透镜阵列,分别通过激光焊接技术焊接在所述基座上,用于输出准直激光光束;
权利要求1至8中任一项所述的激光功率监测组件,其中,所述二维纳米线光栅对准所述准直激光光束设置,其通过激光焊接技术焊接在所述基座上,所述光探测器靠近所述管壳设置,其信号输出端电性连接至所述管壳上相应的信号管脚。
10.一种半导体光放大器,其特征在于,包括:
管壳,具有一基座及至少一信号管脚;
依次排列的前端光纤连接器、半导体放大芯片、光隔离器和光透镜阵列,分别通过激光焊接技术焊接在所述基座上,用于输出准直激光光束;
权利要求1至8中任一项所述的激光功率监测组件,其中,所述二维纳米线光栅对准所述准直激光光束设置,其通过激光焊接技术焊接在所述基座上,所述光探测器靠近所述管壳设置,其信号输出端电性连接至所述管壳上相应的信号管脚;
后端光纤连接器,通过激光焊接技术焊接在所述基座上,用于将由所述二维金属纳米线光栅透射的激光引出该半导体光放大器。
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