[发明专利]找位夹具和位置调整方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够应用在将向热处理供给的半导体晶圆载置并向回流焊炉输送时的晶圆输送用的托盘（输送工具）中的找位夹具和位置调整方法。

背景技术

迄今为止，在热处理工序、输送流水线等的半导体制造工序中，使用专用的输送工具来输送多个半导体晶圆（以下，简称作晶圆）。输送对象的晶圆的大小多因各半导体制造工序的不同而不同。因此，每当改变晶圆的大小，必须变更输送工具。

为了省略该输送工具的变更工序，已知有能够利用一种输送工具输送多种大小的晶圆的输送工具（专利文献1和专利文献2）。在专利文献1中，公开有晶圆叉。采用晶圆叉，通过与输送对象的晶圆的直径的大小相对应地将保持销固定于对应的固定孔，能够应对多种大小的晶圆的输送。

另外，在专利文献2中，公开有所谓的步进式加热方式的晶圆保持台。采用晶圆保持台，利用垂直缸体进行上下运动和水平缸体进行水平运动的输送梁来输送晶圆。

关于晶圆保持台，支承晶圆的销的高度至少需准备三种以上。相同高度的销配置于同一圆周上。高度不同的销以按照其高度顺序向外侧变高的方式配置为同心圆状，并利用与半导体晶圆的大小相对应的高度的销来支承半导体晶圆。半导体晶圆通过与高度次一级的销相接触而被定位。

另外，作为能够应对多种大小的晶圆的输送的晶圆输送工具的其他例子，具有图9所示的结构。图9是表示以往例的半导体晶圆输送工具300的结构例的俯视图。采用图9所示的半导体晶圆输送工具300，利用螺栓34等将底板31和输送引导件32接合。

在底板31的中心部设有具有比半导体晶圆W1的直径小的内径的开口部35，在底板31上，针对半导体晶圆W1呈同心圆状设有三组用于保持半导体晶圆W1的销36A、36B、36C和防止位置偏移用的引导件37A、37B、37C。

进而，与具有比半导体晶圆W1的直径大的直径的半导体晶圆W2相对应地，在底板31上针对半导体晶圆W2设有三组用于保持半导体晶圆W2的销38A、38B、38C和防止位置偏移用的引导件39A、39B、39C。半导体晶圆输送工具300被未图示的输送装置向图中的空白箭头的方向输送。

专利文献1：日本特开平06－151550号公报

专利文献2：日本实开昭62－026037号公报

采用专利文献1所公开的晶圆叉、专利文献2所公开的晶圆保持台以及图9所示的以往例的半导体晶圆输送工具300，存在有如下这样的问题：在对晶圆进行加热时，晶圆的表面的与晶圆叉、晶圆保持台、半导体晶圆输送工具300的开口部35等相接触的部分的热量被晶圆叉、晶圆保持台、底板31夺走，与晶圆的不与晶圆叉、晶圆保持台、半导体晶圆输送工具300的开口部35相接触的其他部分相比，导热变差。

因此，现在，本发明人们关于能够在对半导体晶圆进行加热时实现对晶圆表面均匀加热的半导体晶圆输送工具（以下也简称作改造例）的构造提出了专利申请（日本特愿2012－165817号）。

采用图10所示的改造例的半导体晶圆输送工具200，为了实现对晶圆表面均匀加热，在底板1设有比图9所示的半导体晶圆输送工具300的开口部35大的开口部9。该开口部9具有比利用改造例的半导体晶圆输送工具200进行处理的最大的半导体晶圆的直径φ大的口径d。为了输送图中的双点划线所示的半导体晶圆，改造例具有底板1和四个支承板3A、3B、3C、3D（以下，有时也省略附图标记A～D）。

在支承板3A上设有用于保持半导体晶圆W1的销4A和兼具防止位置偏移和保持作用的销引导件5A（以下，有时也省略附图标记A～D）。在支承板3B～3D上也设有相同的销4、销引导件5。进而，在支承板3上，与具有比半导体晶圆W1的直径大的直径的半导体晶圆W2相对应地，设有用于保持半导体晶圆W2的销6和兼具防止位置偏移和保持作用的销引导件7。

支承板3在底板1上具有位置调整机构40，能够调整位置，以便在从开口部9的内缘部位突出的位置处支承半导体晶圆W1、W2等。

位置调整机构40由8个槽部41A～41H（以下，有时也省略附图标记A～H）、位于每一个槽部41的两个固定螺钉42、43以及内螺纹44、45构成。在图10所示的一例中，位置调整机构40能够以每隔角度45°设置一处、从而共计8处的方式设有槽部41A～41H，使用与支承板3A～3D相对应地从8处中每隔角度90°选择一处、从而共计四处的槽部41A～41D来设置位置调整机构40。