[发明专利]一种硅酸盐类荧光粉及其表面包覆氧化物隔膜薄膜的装置和工艺

权利要求书

1.一种荧光粉特用沉积室，其特征在于：所述沉积室为单层或多层结构设置，每层沉积室由荧光粉沉积区域（1）和布满沉积区域（1）周围的气道（2）构成，所述气道为原子层沉积的前驱体以及载气的进入和排出的管路。

2.根据权利要求1所述的荧光粉特用沉积室，其特征在于：所述沉积室每层高度为5mm、荧光粉沉积区域的直径为80mm，深度为3mm，气道是均布沉积室，深度 1 mm，宽度2.5 mm。

3.根据权利要求1所述的荧光粉特用沉积室，其特征在于：所述沉积室采用铝或者不锈钢材料制成。

4.根据权利要求3所述的荧光粉特用沉积室，其特征在于：所述沉积室采用316L不锈钢材料制成。

5.一种硅酸盐类荧光粉表面包覆氧化物隔膜薄膜的装置，包括现有的原子层沉积（ALD）设备，其特征在于：在现有的ALD设备的沉积腔体中设置权利要求1至4任一项所述的荧光粉特用沉积室，沉积室根据ALD设备中的沉积腔体的大小调节层数，该沉积室可从沉积腔体中直接放置或取出。

6.一种硅酸盐类荧光粉表面包覆氧化物隔膜薄膜的方法，其特征在于：利用权利要求5所述的装置，采用ALD技术在荧光粉表面沉积包覆薄膜，对荧光粉进行改性，具体操作步骤如下：

1）将荧光粉粉末置于沉积室中，再将荧光粉沉积室放入腔体中；

2）开启高纯氮气为载体，开启普通气体作为脉冲气体；

3）设置参数，当显示温度与所设温度相同并达到波动范围小于或等于1^oC时进入下一步；

4）选择沉积模式为暴露模式，即，使用沉积前驱体在腔体中停留足够时间，使前驱体与荧光粉充分接触，发生反应；

5）设置沉积参数；

6）开启真空泵，使沉积腔体处于真空状态，腔体压为50Pa时开始循环沉积，沉积结束后即可在颗料表面形成氧化物隔膜薄膜。

7.根据权利要求6所述的硅酸盐类荧光粉表面包覆氧化物隔膜薄膜的方法，其特征在于：所述步骤3）中设置参数为：腔体衬底温度为80-180℃，腔壁温度为110-210 ^oC，管路温度为150 ^oC，脉冲执行器阀门温度为160^oC，前驱体容器温度为室温，前驱体水容器温度为50 ^oC。

8.根据权利要求6所述的硅酸盐类荧光粉表面包覆氧化物隔膜薄膜的方法，其特征在于：所述步骤5）中设置沉积参数为：前驱体的脉冲时间为20-50 ms，前驱体的清洗时间为15-50s，等待时间为5s，前驱体水脉冲时间为20-50 ms，前驱体水的清洗时间为15-50s，等待时间为5s。

9.根据权利要求7或8所述的硅酸盐类荧光粉表面包覆氧化物隔膜薄膜的方法，其特征在于：述步骤3）中设置参数为：腔体衬底温度为150℃，腔壁温度为180 ^oC；所述步骤5）中设置沉积参数为：前驱体的脉冲时间设置为25 ms，前驱体的清洗时间设置为15 s，等待时间设置为 5s，前驱体水脉冲时间设置为20 ms，前驱体水清洗时间设置为20 s。

10.一种硅酸盐类荧光粉，其特征在于：所述荧光粉荧光粉表面包覆一层氧化铝薄膜，所述薄膜厚度为10-100纳米。