[发明专利]一种石斛育苗技术无效

专利信息
申请号: 201310525536.0 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103598091A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 程世忠 申请(专利权)人: 界首市联发种植专业合作社
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 236500*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 石斛 育苗 技术
【说明书】:

技术领域

发明属于植物育苗技术,具体涉及石斛的育苗技术。

背景技术

  石斛别名吊兰花、扁草、黄草等。来源于兰科石斛属多年生附生草本植物。分布于四川、贵州、云南、广东、广西、台湾等省、自治区。石斛属植物有300多种,我国分布70余种,其中20余种药用。多为野生。以茎入药,含有石斛碱、石斛胺、石斛宁等多种生物碱及黏液质、淀粉等。味甘、淡、性微寒;有滋阴养胃、清热生津功能。主治病热伤津、口干燥渴、病后虚热。近期研究证明石斛多糖有增强免疫力的作用。由于生态破坏与过度开采,野生石斛已濒临灭绝,其市场价格越来越贵,被誉为“植物熊猫”、“植物黄金”,1987年国务院已把石斛列为重点保护对象。

石斛喜阴凉湿润环境,常附生于有苔藓植物的石灰岩上或树上。在西南地区多栽培在海拔1 000米左右、年降水量1 000毫米以上,空气相对湿度80%左右,年平均气温17℃以上的地区。

  石斛植物属于慢生植物,每年所发新芽数量少、生长量小,而且石斛对生长环境要求较苛刻,植株矮小,产量较低,加上生态环境的日益恶化,野生石斛繁殖很缓慢,自然更新能力极差。现在很多关于石斛种植的研究,但由于种植条件有限,生长时间较长,发展较慢,成活率低,给石斛的繁育带来了很大的困难。

发明内容

  本发明所要解决的技术问题是提供一种石斛育苗技术。

  本发明提供了一种石斛育苗技术,通过取当年生的石斛植株,将其切成长度为1~2cm的茎段,每个茎段上都带有1~2个腋芽,用自来水冲洗干净,放入75%的酒精中浸泡20~40s,再用0.1%的升汞消毒10min,最后用无菌水冲洗5~8次,在超净工作台上将上述准备好的茎段放入已灭过菌的基本培养基中,进行离体培养,待茎段上长出新芽,将新芽切下,接种在培养基中长成丛生芽,将丛生芽切成单苗继续进行培养,待单苗长到2~4cm,具有2~4片真叶时,将其转到生根培养基中进行生根培养,当根系长到3~5cm时,将植株移种到干树枝和石子的混合基质上种植。

   本发明所述的树枝采用松树皮和枝干,石子采用鹅卵石,有利于石斛根系的生长和呼吸,促进裸露在外的气生根在空气中吸收养份和水份。

   本发明中石斛的生长环境要保持阴凉湿润,空气相对湿度为70~80%,有利于石斛的生长。

   本发明的有益效果是:本发明可以改善石斛育种困难,濒临灭绝的现状,结合无性繁殖技术,有效快速地培育出良好的石斛植株,克服了石斛幼苗根系易感染的问题,增强了石斛的免疫力、抗病毒和抗旱的能力,保证了存活率,形成了规模化生产,满足了市场需求,产生了巨大的经济效益,具有很好的应用和开发前景。

具体实施方式

   以下对本发明做进一步详细的介绍,所举实施例只用于解释本发明,并非限定本发明的范围。

   首先,取当年生的石斛植株,将其切成长度为1~2cm的茎段,每个茎段上都带有1~2个腋芽,用自来水冲洗干净,放入75%的酒精中浸泡20~40s,再用0.1%的升汞消毒10min,最后用无菌水冲洗5~8次,在超净工作台上将上述准备好的茎段放入已灭过菌的基本培养基中,进行离体培养,待茎段上长出新芽,将新芽切下,接种在培养基中长成丛生芽,将丛生芽切成单苗继续进行培养,待单苗长到2~4cm,具有2~4片真叶时,将其转到生根培养基中进行生根培养,当根系长到3~5cm时,将植株移种到干树枝和石子的混合基质上种植,上述混合基质中的干树枝和石子分别采用松树皮及其枝干和鹅卵石,并且石斛的生长环境要保持阴凉湿润,空气相对湿度为70~80%。

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