[发明专利]一种石斛育苗技术无效
| 申请号： | 201310525536.0 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103598091A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 程世忠 | 申请（专利权）人： | 界首市联发种植专业合作社 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00;A01G1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 236500*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石斛 育苗 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种石斛育苗技术，其特征在于：取当年生的石斛植株，将其切成长度为1～2cm的茎段，每个茎段上都带有1～2个腋芽，用自来水冲洗干净，放入75%的酒精中浸泡20～40s，再用0.1%的升汞消毒10min，最后用无菌水冲洗5～8次，在超净工作台上将上述准备好的茎段放入已灭过菌的基本培养基中，进行离体培养，待茎段上长出新芽，将新芽切下，接种在培养基中长成丛生芽，将丛生芽切成单苗继续进行培养，待单苗长到2～4cm，具有2～4片真叶时，将其转到生根培养基中进行生根培养，当根系长到3～5cm时，将植株移种到干树枝和石子的混合基质上种植。
2.根据权利要求1所述的一种石斛育苗技术，其特征在于：上述干树枝采用松树皮和枝干，石子采用鹅卵石。
3.根据权利要求1所述的一种石斛育苗技术，其特征在于：石斛的生长环境要保持阴凉湿润，空气相对湿度为70～80%。
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