[发明专利]存储器装置及使用非易失性存储器对系统进行开机的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器装置；特别涉及一种使用非易失性存储器元件对系统进行开机的方法以及相关的存储器装置。

背景技术

在抹除一非易失性存储器的过程中，更具体而言，在抹除一非易失性存储器内的特定区块的过程中，可能会发生非预期的中断，例如非预期的电源中断。在此状况下，将无法成功执行完整的抹除运作。举例而言，参照图1，如果一存储器区块已完成预编程(preprogramming)步骤(步骤12)，但在电源中断时未能完成过抹除校正(Over Erase Correction，OEC)步骤(步骤16)，则由于过抹除现象可能导致位线的漏电。当系统再度送电时，未能完成OEC步骤的存储器区块所造成的位线漏电可能会影响到共享相同位线的相关联存储器区块。如果该相关联存储器区块用来存储开机码(booting code)时，在系统重新送电后执行开机程序时，系统可能无法读取开机码。这会导致很长的开机时间，或者，系统可能会无法开机。

随着手持式电子装置的蓬勃发展，系统的稳定度在许多消费性产品中是一个重要的课题。此外，高容量的存储器元件中会合并越来越多的存储器区块。因此，需要解决上述位线漏电现象的方案。

发明内容

根据本发明一实施例的一种使用一非易失性存储器元件对一系统进行开机的方法，包含以下步骤：当该系统供电时，读取对应到该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一状态标志，该状态标志的标志值指示施加至该存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成；根据该状态标志的标志值对所对应的存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序；以及根据存储在该非易失性存储器元件中的一开机码对该系统进行开机。

根据本发明一实施例的一种存储器装置，包含一非易失性存储器元件，一状态寄存器，一控制单元以及一漏电流校正单元。该非易失性存储器元件包含多个存储器区块。该状态寄存器电性连接至该非易失性存储器元件，其配置以存储一状态标志，该状态标志用以指示施加至该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成。该控制单元配置以在该存储器装置供电后读取该状态标志的标志值。该漏电流校正单元电性连接至该控制单元，其配置以根据该状态标志的标志值对该等存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序。

附图说明

图1显示一已知的完整的抹除运作的流程图。

图2显示结合本发明一实施例的一存储器装置的方块示意图。

图3显示共享一相同位线的两存储器区块的示意图。

图4显示根据本发明一实施例的该非易失性存储器元件的一完整的抹除运作的流程图。

图5显示根据本发明一实施例的使用非易失性存储器元件对系统进行开机的一方法的流程图。

图6显示根据本发明另一实施例的使用非易失性存储器元件对系统进行开机的一方法的流程图

【符号说明】

10-18    步骤

200      存储器装置

202      非易失性存储器元件

204      状态寄存器库

206      或门电路

208      控制单元

210      漏电流校正单元

212      第一偏压电压产生器

214      第二偏压电压产生器

216      再抹除单元

32       开机区块

34       数据区块

36       感测放大器

400      完整抹除运作

402-414  步骤

500      开机方法

502-512  步骤

600      开机方法

602-612  步骤

BL       位线

具体实施方式

图2显示结合本发明一实施例的一存储器装置200的方块示意图。参照图2，该存储器装置200包括一非易失性存储器元件202，一状态寄存器库204，一或门电路206，一控制单元208以及一漏电流校正单元210。该漏电流校正单元210包括一第一偏压电压产生器212，一第二偏压电压产生器214以及一再抹除单元216。