[发明专利]存储器装置及使用非易失性存储器对系统进行开机的方法在审
| 申请号: | 201310521695.3 | 申请日: | 2013-10-29 | 
| 公开(公告)号: | CN104575605A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 | 
| 发明(设计)人: | 郭忠山;陈致豪 | 申请(专利权)人: | 晶豪科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/06 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 | 
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 装置 使用 非易失性存储器 系统 进行 开机 方法 | ||
1.一种使用一非易失性存储器元件对一系统进行开机的方法,包括:
当该系统供电时,读取对应到该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一状态标志,该状态标志的标志值指示施加至该存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成;
根据该状态标志的标志值对所对应的存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序;以及
根据存储在该非易失性存储器元件中的一开机码对该系统进行开机。
2.如权利要求1所述的方法,其中该根据该状态标志的标志值对该所对应的存储器区块选择性地执行该漏电流抑制程序的步骤包含:
当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作已完成时,施加一第一偏压电压至该存储器区块中的未被选择的存储器晶胞;以及
当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作未完成时,施加一第二偏压电压至该存储器区块中的未被选择的存储器晶胞;
其中,该第二偏压电压的电压值低于该第一偏压电压的电压值。
3.如权利要求2所述的方法,其中该第二偏压电压为一负电压,且电压值足以截止一过抹除存储器晶胞。
4.如权利要求1所述的方法,还包含:
当该系统开机后,对该所对应的存储器区块执行一漏电流修复运作。
5.如权利要求1所述的方法,其中该根据该状态标志的标志值对该所对应的存储器区块选择性地执行该漏电流抑制程序的步骤包含:
当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作未完成时,对该存储器区块中的存储器晶胞进行再抹除运作。
6.如权利要求1所述的方法,其中该非易失性存储器元件包含多个存储器区块,且该读取对应到该非易失性存储器元件中的该至少一存储器区块的该状态标志的步骤包含:
读取该非易失性存储器元件中的每一存储器区块的一状态标志;以及
通过对所述存储器区块的所有状态标志执行一或运算,藉以获得一总状态标志;且该方法还包含:
检查该总状态标志以确认该非易失性存储器元件中是否具有至少一存储器区块未完成完整的抹除步骤。
7.一种存储器装置,包括:
一非易失性存储器元件,包含多个存储器区块;
一状态寄存器,电性连接至该非易失性存储器元件,其配置以存储一状态标志,该状态标志用以指示施加至该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成;
一控制单元,其配置以在该存储器装置供电后读取该状态标志的标志值;以及
一漏电流校正单元,电性连接至该控制单元,其配置以根据该状态标志的标志值对所述存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序。
8.如权利要求7所述的存储器装置,其中该漏电流校正单元包含:
一第一偏压电压产生器,其配置以当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作已完成时,施加一第一偏压电压至该存储器区块中的未被选择的存储器晶胞;以及
一第二偏压电压产生器,其配置以当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作未完成时,施加一第二偏压电压至该存储器区块中的未被选择的存储器晶胞;
其中,该第二偏压电压的电压值低于该第一偏压电压的电压值。
9.如权利要求8所述的存储器装置,其中该第二偏压电压为一负电压,且电压值足以截止一过抹除存储器晶胞。
10.如权利要求7所述的存储器装置,其中该漏电流校正单元包含:
一再抹除单元,其配置以当该状态标志指示施加至该存储器区块的该完整的抹除运作未完成时,对该存储器区块进行一再抹除运作。
11.如权利要求7所述的存储器装置,还包含:
多个状态寄存器;以及
一或门电路,电性连接至所述状态寄存器,其配置以产生一总状态标志;
其中,该控制单元在该存储器装置供电后读取该总状态标志的标志值,且当该总状态标志指示该非易失性存储器元件中具有至少一存储器区块未完成完整的抹除运作时,该控制单元个别地读取所述状态寄存器以找出未完成完整的抹除运作的该存储器区块。
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