[发明专利]一种晶圆版图的CDSEM测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种晶圆版图的CDSEM测量方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，CD)，关键尺寸的大小从125微米发展到0.13微米，甚至更小，正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

随着半导体器件尺寸的不断缩小，所述器件的逻辑区故障排除(Logic area debug)变得更加困难，因为故障区域或者具有缺陷的地方很难找到，现有技术中寻找缺陷点(weak point)的方法通常为先将所述设计后的版图输入，查找关键层(critical layer)的缺陷点(weak point)，包括有源区(AA)、接触孔(CT)、通孔(VIA)等，现有技术中大都通过测量关键尺寸的扫描电子显微镜(CDSEM)对图案的关键尺寸进行测量，以便查找到所述图案中的存在的缺陷点。

在该过程中，由于版图中的图案都非常相近，在进行缺陷点的检查时通常需要将其中的一个被测图案A作为另一个被测图案B的定位图案

(addressing pattern)，将A作为参照，对图案B进行测量，特别是在缺陷点相邻很近的时候，所述方法具有较高的效率。但是所述方法仍存在很多不足，其中被测图案A作为另一个被测图案B的定位图案在进行CDSEM测量时受到电子的放射，而在对被测图案A进行测量时，需要再次对所述被测图案A进行电子放射，所以被测图案A在整个测量过程中将受到两次电子的放射，使得被测图案A的测量结果不够产生偏差，不够准确。

因此，现有技术中对于缺陷点检测时，其中某些被测图案成为定位图案被电子放射，在测量时会被再次放射导致测量结果不够准确，而现有技术中并没有方法能够确保测试图案不被作为定位图案，所以需要对现有技术进行改进，以便消除上述难题，提高测量的准确度。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆版图的CDSEM测量方法，包括：

步骤(a)计算晶圆版图中所有测量图案在CDSEM中的位置；

步骤(b)根据所述所有测量图案在CDSEM中的位置建立测量图案数据库；

步骤(c)选定测量图案；

步骤(d)选定定位图案；

步骤(e)对所述定位图案进行检查，检查所述定位图案是否是所述测量图案数据库中的测量图案，若不是，则执行步骤(f)，若是，则重复执行步骤(d)和步骤(e)，至所述定位图案不是测量图案为止，以防止所述测量图案被电子放射两次；

步骤(f)对所述定位图案进行编辑，对所述测量图案进行测量和编辑。

作为优选，在所述步骤(c)中，在选定所述测量图案之后，还包括对所述测量图案进行注册的步骤。

作为优选，在所述步骤(c)中，在选定所述定位图案之后，还包括对所述定位图案进行注册的步骤。

作为优选，重复步骤(a)-步骤(f)对其他测量图案进行测量，至所述测量图案数据库中的测量图案全部测量完成为止。

作为优选，所述步骤(a)包括以下子步骤：

步骤(a-1)确定定位图案在所述晶圆版图中的位置以及所述定位图案在版图预览(JDV)中的位置；

步骤(a-2)确定所述晶圆版图和所述版图预览(JDV)中测量图案位置的关联；

步骤(a-3)确定所述测量图案在所述晶圆版图中的位置，并根据步骤(a-2)中的所述关联得到所述测量图案在所述版图预览(JDV)中的位置；

步骤(a-4)查找对准标记在版图预览(JDV)中的位置，根据所述测量图案在所述版图预览(JDV)中的位置，确定所述测量图案在CDSEM中的位置。

在本发明中通过计算将测量图案在版图中的位置转化为测量图案在CDSEM中的为位置，并建立数据库，在对测量图案进行测量时，对所述测量图案的位置进行注册，同时对定位图案的位置进行注册，在检测过程中检查是否有其他用于测量图案作为所述待测图案的定位图案，如果有，则上一步中重新选择定位图案，至所述定位图案不是测量图案位置，选用测量图案以外的图形作为行为图案，以防止所述测量图案被电子放射两次的情况发生，以提高所述测量图案的准确度。