[发明专利]一种晶圆版图的CDSEM测量方法有效
| 申请号： | 201310520068.8 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576430B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王辉;黄宜斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 版图 cdsem 测量方法 | ||
1.一种晶圆版图的CDSEM测量方法，包括：
步骤(a)计算晶圆版图中所有测量图案在CDSEM中的位置；
步骤(b)根据所述所有测量图案在CDSEM中的位置建立测量图案数据库；
步骤(c)选定测量图案；
步骤(d)选定定位图案；
步骤(e)对所述定位图案进行检查，检查所述定位图案是否是所述测量图案数据库中的测量图案，若不是，则执行步骤(f)，若是，则重复执行步骤(d)和步骤(e)，以防止所述测量图案被电子放射两次；
步骤(f)对所述定位图案进行编辑，对所述测量图案进行测量和编辑。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，在选定所述测量图案之后，还包括对所述测量图案进行注册的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，在选定所述定位图案之后，还包括对所述定位图案进行注册的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，重复步骤(a)-步骤(f)对其他测量图案进行测量，至所述测量图案数据库中的测量图案全部测量完成为止。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)包括以下子步骤：
步骤(a-1)确定定位图案在所述晶圆版图中的位置以及所述定位图案在版图预览中的位置；
步骤(a-2)确定所述晶圆版图和所述版图预览中测量图案位置的关联；
步骤(a-3)确定所述测量图案在所述晶圆版图中的位置，并根据步骤(a-2)中的所述关联得到所述测量图案在所述版图预览中的位置；
步骤(a-4)查找对准标记在版图预览中的位置，根据所述测量图案在所述版图预览中的位置，确定所述测量图案在CDSEM中的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310520068.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
