[发明专利]一种接触窗结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201310518642.6 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN104576597A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768;H01L27/112
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 接触 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种阶梯式接触窗结构的形成方法,包括:

形成一由多个有源层与多个绝缘层交替的叠层,包括:

形成包括N个有源层的一第一子叠层,该N个有源层被这些绝缘层分开,该N个有源层包括一上边界有源层;

形成一第二子叠层于该第一子叠层之上,该第二子叠层包括M个有源层,该M个有源层被这些绝缘层分开,该M个有源层包括一上边界有源层;且

形成一第一子叠层绝缘层位于该第一子叠层与该第二子叠层之间,在一已知刻蚀步骤中该第一子叠层绝缘层具有一不同于该第二子叠层内的这些绝缘层的多个刻蚀时间的刻蚀时间;

接通这些上边界有源层;

接续这些上边界有源层的接通步骤,接通该第一子叠层与该第二子叠层的其余这些有源层,并于该第一子叠层与该第二子叠层的这些有源层上产生阶梯式结构的多个着陆区(landing area);以及

形成延伸至这些着陆区的多个层间导体,这些层间导体由绝缘材料各自分开。

2.根据权利要求1所述的形成方法,其中该叠层形成步骤包括:

形成一包括第一子叠层、第二子叠层、第三子叠层及第四子叠层的叠层;

形成一第二子叠层绝缘层于该第二子叠层与该第三子叠层之间;以及

形成一第三子叠层绝缘层于该第三子叠层与该第四子叠层之间。

3.根据权利要求2所述的形成方法,其中各该第一、第二、第三以及第四子叠层包括相同数量的有源层。

4.根据权利要求3所述的形成方法,其中该第一、第二、第三以及第四子叠层的这些绝缘层,皆有相同的厚度并以一第一绝缘材料所制成;

该第一、第二以及第三子叠层绝缘层分别由一第二绝缘材料、一第三绝缘材料以及一第四绝缘材料所制成;且

该第二、第三以及第四绝缘材料的至少其中两者,为不同绝缘材料且具有不同刻蚀性质。

5.根据权利要求3所述的形成方法,其中:

在各该第一、第二、第三以及第四子叠层之中的这些绝缘层,在一已知刻蚀工艺中有相同的刻蚀时间;且

在该已知刻蚀工艺中,在各该第一、第二、第三以及第四子叠层绝缘层,有不同于该第一、第二、第三以及第四子叠层之中的这些绝缘层的刻蚀时间。

6.根据权利要求5所述的形成方法,其中在该已知刻蚀工艺中,该第一和第三子叠层绝缘层有相同的刻蚀时间。

7.根据权利要求1所述的形成方法,其中:

这些上边界有源层的接通步骤,包括:

在一个或多个刻蚀步骤中,选择其中一子叠层的这些上边界有源层的一区域,并显露该区域;且

其余这些有源层的接通步骤包括:

对这些上边界有源层被显露的该区域进行刻蚀步骤,使被选择的该子叠层的这些上边界有源层之下的多个有源层显露出来;

使用一材料覆盖被显露的这些有源层,且包括覆盖这些上边界有源层;以及

对该材料刻蚀成孔,以使被选择的该子叠层的这些有源层被显露出来。

8.根据权利要求7所述的形成方法,其中:

该一个或多个刻蚀步骤中,这些上边界有源层被显露的区域产生了一阶梯式结构的这些区域;且

执行被显露的这些区域的刻蚀步骤,以产生一阶梯式结构的层间导体接触窗区域于这些有源层上。

9.一种接触窗结构的形成方法,包括:

形成一由多个有源层和多个绝缘层交替的叠层,该叠层包括具有上边界有源层的多个子叠层,这些子叠层具有绝缘层和多个有源层对在上边界有源层之下,该绝缘层与这些有源层对构成多个第一层对(first layer pairs),这些第一层对在该已知刻蚀工艺中有多个一致的第一子叠层刻蚀时间,该叠层也包括多个第二层对,这些第二层对包括多个子叠层绝缘层,这些子叠层绝缘层位于这些子叠层之间,该第二层对在该已知刻蚀工艺中有多个第二子叠层刻蚀时间,其相异于这些第一子叠层刻蚀时间;

在一个或多个刻蚀步骤中,经过刻蚀,使叠层产生多个开口,这些开口的刻蚀深度止于这些上边界有源层;

深度刻蚀被选定的这些开口以形成多个通孔,这些通孔显露各该子叠层内的多个有源层;且

形成多个层间导体:

在这些通孔中,这些层间导体延伸至这些有源层;且

在这些开口未被进行深度刻蚀的过程中,这些层间导体延伸至这些上边界有源层。

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